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化学机械抛光,机械抛光类专题技术光盘》

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详细光盘目录如下:
[11-BG84707]  硫系相变材料化学机械抛光的无磨料抛光液及其应用

[技术摘要]本发明涉及一种用于硫系化合物相变薄膜材料GeSbTe化学机械抛光(CMP)的无磨料抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP无磨料抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、抗蚀剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境,主要用于制造相变存储器关键材料GexSbyTe(1-x-y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y),(0≤x≤0.5,0≤y≤1.0,且 x、y不同时为0)制备纳电子器件相变存储器,方法简单易行。

[12-BG84707]  高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光用的纳米抛光液

[技术摘要]本发明涉及一种用于半导体器件中高介电常数介电材料钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液。该CMP纳米抛光液包含有纳米研磨料、螯合剂、pH调节剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境,主要用于新一代高密度存储器(DRAM)电容器介电材料及CMOS场效应管的栅介质——高介电常数介电材料钛酸锶钡的全局平坦化。利用上述纳米抛光液采用化学机械抛光方法平坦化高介电常数介电材料钛酸锶钡,抛光后表面的粗糙度降至0.8nm以下,抛光速率达200~300nm/min;抛光后表面全局平坦度高,损伤较少,是制备超高密度动态存储器(DRAM)及CMOS场效应管时高介电材料平坦化的一高效抛光液。

[13-BG84707]  浆料、使用该浆料的化学机械抛光方法以及使用该浆料形成金属布线的方法

[技术摘要]一种浆料、使用该浆料的化学机械抛光(CMP)方法以及使用该浆料形成金属布线的方法。该浆料可以包括抛光剂、氧化剂和保护金属膜的至少一种缺陷抑制剂。CMP方法和形成金属布线的方法可以采*有包括至少一种缺陷抑制剂的至少一种浆料的一种或两种浆料。

14-BG84707 纳米氧化铈的制备方法及其在砷化镓晶片化学机械抛光中的用途
15-BG84707 图像传感器中采用化学机械抛光的自对准金属硅化物工艺
16-BG84707 ULSI多层铜布线化学机械抛光中粗糙度的控制方法
17-BG84707 用于化学机械抛光的系统、方法与研磨液
18-BG84707 一种改进的化学机械抛光方法
19-BG84707 化学机械抛光设备的清洗装置和方法
20-BG84707 一种化学机械抛光液
21-BG84707 一种化学机械抛光液
22-BG84707 化学机械抛光研磨液的供料装置及研磨液处理方法
23-BG84707 化学机械抛光中凹陷现象检测单元、制作方法及检测方法
24-BG84707 分布化学机械抛光方法
25-BG84707 碳化硅单晶表面多级化学机械抛光方法
26-BG84707 一种化学机械抛光制程、双氧水的用途和清洗方法
27-BG84707 化学机械抛光设备硅片定位装片装置
28-BG84707 应用于硅片化学机械抛光设备中的定位转换装置
29-BG84707 一种超声辅助化学机械抛光蓝宝石衬底材料的装置及方法
30-BG84707 化学机械抛光设备硅片清洗装置
31-BG84707 一种减少硅衬底材料化学机械抛光表面液蚀坑产生的抛光方法
32-BG84707 一种化学机械抛光研磨头
33-BG84707 应用于硅片化学机械抛光设备中的机械手终端夹持执行器
34-BG84707 化学机械抛光用运载器安全装置
35-BG84707 化学机械抛光设备用抛光台温度控制装置
36-BG84707 化学机械抛光设备的硅片清洗装置
1-BG84707 采用上游和下游流体分配装置的化学机械抛光方法和设备
2-BG84707 用化学机械抛光的平整步骤制造半导体器件的方法
3-BG84707 用于硅衍生物或硅的绝缘材料层的新型化学机械抛光方法
4-BG84707 化学-机械抛光垫的修整装置及方法
5-BG84707 化学机械抛光后晶圆表面的清洗方法
6-BG84707 分步化学机械抛光方法
7-BG84707 抛光垫以及化学机械抛光方法
8-BG84707 抛光垫以及化学机械抛光方法
9-BG84707 一种用于浅沟槽隔离技术的化学机械抛光工艺
10-BG84707 硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用
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