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氮化硅,氮化硅陶瓷类专题技术光盘》

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详细光盘目录如下:
[32-BG84515]  超细氮化硅微粉气相合成新工艺

[技术摘要] 本发明是一种制备超细氮化硅微粉的气相合成新工艺,新工艺中采取直流等离子弧为热源的密闭反应容器中完成气相合成,所采用的基料为四氯化硅和氨,两者按1∶1.5—1.9比例(单位时间内注入液态重量比)注入反应器,在反应器内完成气相合成,并借助*沉降过程中淬冷直接变成固态微粉,反应器内借助调控等离子体发生器输功率和N2、H2比例稳定离子弧,并保持反应温度在1000℃—1500℃之间,经淬冷细化的微粉经加热后处理去除氯化物杂质生成高纯度纳米级的Si3N4微粉。

[33-BG84515]  一种提高氮化硅基陶瓷性能/价格比的方法

[技术摘要]本发明涉及一种提高氮化硅基陶瓷性能/价格比的方法,属于氮化硅陶瓷领域。其特点是以市售廉价耐火级Si3N4为原料,经不太复杂细化处理后再选择合适添加剂和烧结工艺,具有特殊的显微结构,使性能/价格比提高。本发明涉及的氮化硅基陶瓷包括氮化硅陶瓷、Sialon材料及氧氮化硅材料,适用于钢铁行业中风机贴片、反击板、筛网筛板等耐磨损、耐冲击部位。

[34-BG84515]  使用氮化工艺的多晶硅化金属栅极制程

[技术摘要]一种形成栅极的方法,此栅极是一多晶硅化金属栅极。此方法至少包括提供一栅极氧化层在一衬底上。然后,沉积一多晶硅层在栅极氧化层上。接着,进行一氮化工艺形成一粘合层在多晶硅层的表面上。之后,再依序地沉积一阻挡层和一金属硅化物层在粘合层上。最后,进行一微影工艺移除部分的金属硅化物层,阻挡层,粘合层以及多晶硅层以在衬底上形成此多晶硅化金属栅极。以氮化工艺形成的粘合层可有效地加强阻挡层的阻挡效果。

[35-BG84515]  一种氮化硅水基浓悬浮体的制备方法

[技术摘要]本发明涉及一种氮化硅水基浓悬浮体的制备方法,首先将氮化硅粉料配成悬浮体,用四甲基氢氧化铵调节浆料的pH值,然后将浆料放入球磨罐中球磨,以去离子水为介质,对上述粉料进行多次水洗,以去除粉料中的可溶性物质和高价反离子,将上述粉料置于空气气氛中保温,最后将上述改性处理后的氮化硅粉料加进高纯去离子水中,用四甲基氢氧化铵调节悬浮液的pH值,再加入球磨罐中球磨,即制备出低粘度、高固相含量的氮化硅水基浓悬浮体。用本发明提出的方法,可以使制备工艺不同、生产厂家不同、分散性能的*性因素不同的氮化硅粉料具有相似的良好分散性,制备出固相含量高于50vol%的水基浓悬浮体。

[36-BG84515]  氮化硅陶瓷及其制备工艺

[技术摘要]涉及一种由淤浆状硅基组合物制备的Si3N4陶瓷,所述的淤浆状硅基组合物基本上由表面氧化膜厚度在1.5到15nm范围的Si粉末、50到90%重量的水、0.2到7.5%重量的以氧化物表示的烧结助剂和0.05到3%重量的分散剂组成,其中烧结助剂是选自IIa族、IIIa族和稀土元素的化合物中的至少一种,所说的陶瓷具有至少96%的相对密度和至少800MPa的弯曲强度。还涉及一种该Si3N4陶瓷的制备工艺。

[37-BG84515]  硅基氮化物单晶薄膜的外延结构及生长方法

[技术摘要]本发明针对硅基氮化物单晶薄膜存在较大的失配应力而产生高密度裂纹和位错的问题,发明一种在成核层上生长薄层SiNx用以减小应力、消除裂纹、降低位错密度,制备高质量氮化物薄膜的外延方法。本方法通过控制SiNx薄层的厚度使其在成核层表面呈不连续的岛状分布,相当于在成核层表面原位形成SiNx岛状掩模。SiNx薄层的厚度一般控制在2~50nm范围内。然后,氮化物单晶薄膜以SiNx为掩模进行选择性生长,直至形成表面平整的连续薄膜,从而降低了薄膜与衬底间的失配应力以及位错和裂纹密度,增加外延厚度,提高晶体质量。本发明具有掩模制备工艺简单,无二次污染,氮化物单晶薄膜外延工艺容易实现,生产效率高等特点。

[38-BG84515]  氮化硅陶瓷发热体的微波炉烧结制备方法及专用设备

[技术摘要]一种氮化硅陶瓷发热体的微波炉烧结制备方法及专用设备,它属于电发热体制备工艺及其专用设备领域,其特征在于所述的专用设备包括一个微波炉本体和坩埚和由最外层的纤维保温体和次外层的保温体,辅助加热板和纤维保温球填充层构成的烧结专用保温体;所述的制备方法如下:将陶瓷生坯放入坩埚,然后将装有陶瓷生坯的刚玉坩埚和烧结专用保温体一起整体放入微波烧结装置内进行烧结;烧结流程为:先将微波炉内抽真空,然后充入质量百分比大于99%的N2,并数次反复上述程序;设定升温程序为5℃/min~50℃/min可调,升温至1300℃±50℃,恒温10~60分钟,然后再升温至1600~1750℃,恒温5~60分钟后关闭微波源自然冷却。

[39-BG84515]  一种氮化硅彩虹玻璃及其制备方法

[技术摘要]本发明公开了一种氮化硅彩虹玻璃及其制备方法。在普通平板玻璃基底一个表面或二个表面上镀有一层氮化硅薄膜,形成相间的彩虹条纹。其生产方法是采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)镀氮化硅膜,镀出的氮化硅膜在玻璃表面形成彩色相间的条纹,并可以随着PECVD工艺参数的变化,发生明暗以及颜色变化。该方法制备氮化硅彩虹玻璃,不需采用复杂的掩膜或光栅工艺,操作简单。同时氮化硅膜硬度高、化学稳定,增强玻璃表面的耐磨性能的同时提高了玻璃的抗腐蚀性。因此可广泛用于装修、广告等一系列装璜工艺。

[40-BG84515]  一种方镁石氮化硅复合耐火制品及制备方法

[技术摘要]一种方镁石氮化硅复合耐火制品及制备方法,属于无机非金属材料科学工程技术领域。制品的成分为MgO含量45-85%,Si3N4含量5-45%,Fe含量1-10%。其工艺为:按比例配料;将配料混合物在搅拌机中混合均匀后,机压成型为坏体。将压制成形的坯体经自然干燥后置于热处理炉或窑,在100~300℃下烘烤2~24小时,获得制品。优点在于,使制备的方镁石氮化硅复合材料制品具有较高的性能,该制品不用高温烧成,且该制品在使用时具有“自阻碍氧化”的性能,向洁净钢冶炼提供了一种优良的精炼钢包渣线用耐火材料。

[41-BG84515]  测量氧化硅层-氮化硅层-氧化硅层电学厚度的方法

[技术摘要]一种检测氧化硅-氮化硅-氧化硅膜厚度的方法,包括下列步骤:在硅基片上洒上静电荷;测量硅基片表面静电荷的电压;将电势换算成氧化硅-氮化硅-氧化硅膜的电学厚度。经过上述步骤,用载流子活性测量仪器SDI直接测量氧化硅层-氮化硅层-氧化硅层的电学厚度,使测量步骤简化,并且测量出来的结果稳定,进而实现制造工艺控制准确,最终产品能达到设计要求。

42-BG84515 活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法
43-BG84515 自蔓燃无污染快速制备高α相氮化硅粉体的方法
44-BG84515 一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法
45-BG84515 一种泡沫氮化硅陶瓷的制备方法
46-BG84515 一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法
47-BG84515 一种氮化硅纳米线的制备方法
48-BG84515 以聚四氟乙烯为添加剂燃烧合成氮化硅粉体的方法
49-BG84515 多弧离子镀钛铝铬硅钇氮化物多组元超硬反应膜的制备方法
50-BG84515 含有α-氮化硅晶须的氮化硅水基流延浆料及其制备方法
51-BG84515 一种低温制备氮化硅粉体材料的方法
52-BG84515 增进氮化硅只读存储器的存储单元保持力的方法
53-BG84515 以氮化硅镁作为生长助剂燃烧合成制备β-氮化硅棒晶
54-BG84515 一种造粒燃烧合成氮化硅的生产方法
55-BG84515 胶态成型制备氮化硅耐磨陶瓷的优化设计方法
56-BG84515 高热导率、高强度氮化硅陶瓷制造方法
57-BG84515 钎焊氮化硅陶瓷的钎料及以该钎料连接氮化硅陶瓷的方法
58-BG84515 高精度热压氮化硅陶瓷球轴承及其制造方法
59-BG84515 一种氮化硅碳化硅多孔陶瓷的制备方法
60-BG84515 一种氮化硅陶瓷部件的微加工方法
61-BG84515 用于电致发光显示器的氧氮化硅钝化的稀土激活硫代铝酸盐磷光体
62-BG84515 多孔氮化硅陶瓷及其生产方法
63-BG84515 制造氮化硅只读存储器的方法
64-BG84515 一种氮化硅燃烧合成过程中增压调控的生产方法
65-BG84515 制造氮化硅只读存储器的方法
66-BG84515 双终点检测控制STICMP工艺氮化硅厚度稳定性的方法
67-BG84515 一种控制STICMP工艺中残余氮化硅厚度稳定性的方法
68-BG84515 解决湿法剥离氮化硅薄膜新的清洗溶液
69-BG84515 自蔓延高温合成氮化硅*体的制备方法
70-BG84515 由硅化镁燃烧合成氮化硅*体的制备方法
71-BG84515 一种纳米氮化硅抛光组合物及其制备方法
72-BG84515 一种氮化硅多孔陶瓷及其制备方法
73-BG84515 晶界相中添加纳米氮化硅提高钕铁硼工作温度和耐蚀性方法
74-BG84515 一种具有高抗氧化性能的氮化硅陶瓷及其制备方法
75-BG84515 在氮化氧化硅层中补偿氮的不均匀浓度
76-BG84515 一种氮化硅—碳化钛复合材料的制备方法
77-BG84515 在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法
78-BG84515 一种原位增韧氮化硅基陶瓷及其超快速烧结方法
79-BG84515 采用纳米碳管模板法制备氮化硅纳米丝的方法
80-BG84515 一种磷酸作为添加剂的氮化硅多孔陶瓷材料的制备方法
81-BG84515 在硅衬底上采用磁控溅射法制备氮化铝材料的方法
82-BG84515 硅衬底Ⅲ族氮化物外延生长
83-BG84515 氮化硅膜的制造方法
84-BG84515 一种低温化学气相沉积制备氮化硅薄膜的方法
85-BG84515 氮化硅发热体以及其无压低温烧结制备方法
86-BG84515 反应烧结氮化硅粉技术
87-BG84515 快速制备高强度氮化硅-氮化硼可加工陶瓷的方法
88-BG84515 基于氮化硅镂空掩模的纳米电极制备方法
89-BG84515 氮化硅陶瓷细长工件的生产工艺技术
90-BG84515 采用PECVD由氨基硅烷制备氮化硅
91-BG84515 高精度圆形长棒氮化硅陶瓷制造方法
92-BG84515 一种无内圈式热等静压氮化硅全陶瓷球轴承及其制造方法
93-BG84515 含有氮化硅的耐久性硬质涂层
94-BG84515 一种氮化硅非水基流延浆料及其制备方法
95-BG84515 制备氮化硅叠层的方法
96-BG84515 一种去除硅片背面氮化硅的方法
97-BG84515 流化床直接制取氮化硅的装置及其方法
98-BG84515 具有控制应力的氮化硅膜
99-BG84515 用于金属硅氮化物、氧化物或氮氧化物的ALDCVD的Ti、Ta、Hf、Zr及相关金属硅氨化物
100-BG84515 一种氮化铝增强碳化硅陶瓷及其制备方法
101-BG84515 供高温力学量传感器用的纳米多晶硅-氮化铝隔膜-硅单晶衬底基片
102-BG84515 硅衬底上生长的非极性A面氮化物薄膜及其制法和用途
103-BG84515 硅102衬底上生长的非极性A面氮化物薄膜及其制法和用途
104-BG84515 G3级氮化硅球加工工艺
105-BG84515 逆反应烧结制备氮化硅碳化硅复合材料的方法
106-BG84515 一种高强度、高韧性的氮化硅陶瓷液相烧结法
107-BG84515 原子层沉积形成氮化硅氧化阻挡层的方法
108-BG84515 氮化硅基复合材料燃烧合成方法
109-BG84515 氮化铝硼硅酸盐玻璃低温共烧陶瓷基板材料及其制备方法
110-BG84515 电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氮化硅薄膜的方法
111-BG84515 一种氮化硅陶瓷颗粒增强铝基复合材料及其制备方法
112-BG84515 一种纳米氮化硅陶瓷粉体的制备方法
113-BG84515 一种用于LED的硅基氮化镓外延层转移方法
114-BG84515 制备氮化硅的方法
115-BG84515 制备氮化硅陶瓷发热体的凝胶注模成型工艺方法
116-BG84515 氮化硅间隙填充层及其形成方法
117-BG84515 氮化锆-氮化硅复合粉体的制备方法
118-BG84515 一种基于碳热还原制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法
119-BG84515 一种基于渗硅氮化制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法
120-BG84515 氮化硅只读存储器及其字线的制造方法
121-BG84515 氮化硅湿法腐蚀方法
122-BG84515 低压下在石英坩埚内壁上喷涂氮化硅涂层的方法及装置
123-BG84515 一种以磷酸盐为烧结助剂的氮化硅基复合陶瓷及制备方法
124-BG84515 自蔓燃制备低氧含量高α-相氮化硅粉体的方法
125-BG84515 可减小金属前介质层中空洞形成概率的氮化硅制作方法
126-BG84515 氮化硅膜湿法腐蚀工艺方法
127-BG84515 3N4和掺磷氧化硅PSG复合薄膜隔离技术的IGBT功率器件及其制造工艺&H01L297392006.01Ia01 一种采用氮化硅Si3N4和掺磷氧化硅PSG复合薄......
128-BG84515 纳米氮化硅环氧基硅烷氰酸酯树脂复合材料及其制备方法
129-BG84515 一种导电氮化钛氮化硅纳米复合材料的制备方法
130-BG84515 氮化硅基纳米复合梯度功能陶瓷刀具材料及其制备方法
131-BG84515 原位生长碳氮化钛系晶须增韧氮化硅基陶瓷刀具材料粉末及其制备工艺
132-BG84515 一种可降低漏电流的氮化硅制作方法
133-BG84515 一种用自对准氮化硅掩膜形成浅沟槽隔离的方法
134-BG84515 一种用于铜工艺无边导通孔的自对准氮化硅覆层方法
135-BG84515 在玻璃基片表面磷酸基硅烷-氮化钛复合薄膜的制备方法
136-BG84515 提高太阳电池用非晶氢化碳氮化硅薄膜钝化性能的热处理方法
137-BG84515 一种氮化硅锰合金的生产方法
138-BG84515 一种高可靠性大尺寸氮化硅陶瓷材料的制备方法
139-BG84515 高纯度高密度单晶氮化硅纳米阵列的制备方法
140-BG84515 一种氮化硼晶须氮化硅陶瓷复合材料及其制备方法
141-BG84515 氮化硼纳米管增强的氮化硅陶瓷及其制备方法
142-BG84515 多孔氮化硅氧氮化硅陶瓷复合材料的近净尺寸制备方法
143-BG84515 形成氮化硅层于栅极氧化物膜上的制备方法
144-BG84515 去除氮化硅薄膜的干法蚀刻方法
145-BG84515 高强度氮化硅结合碳化硅材料及其制备方法
146-BG84515 等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法及应力氮化硅膜的形成方法
147-BG84515 高纯高产率网络状分枝氮化硅单晶纳米结构的制备方法
148-BG84515 选择性除去四氮化三硅的组合物和方法
149-BG84515 采用玻璃包封热等静压工艺制备氮化硅陶瓷球的方法
150-BG84515 一种氧氮化硅结合碳化硅高温陶瓷材料及其制备方法
151-BG84515 一种在氮化硅沉积工艺中去除氯化铵结晶的方法
152-BG84515 一种利用木屑制备氮化硅粉体的方法
153-BG84515 一种氮化硅基封孔涂层的制备方法
154-BG84515 氮化硼纳米管增强的二氧化硅陶瓷的制备方法
155-BG84515 一种β-氮化硅纳米线的制备方法
156-BG84515 一种大型水泥窑用矾土-氮化硅铁复合耐磨砖及其制造方法
157-BG84515 一种有序多孔二氧化硅和碳氮化硅及其制备方法和用途
158-BG84515 自蔓燃制备氮化硅复合碳化硅粉体的方法
159-BG84515 一种废塑料制备小尺寸碳化硅或氮化硅纳米颗粒的方法
160-BG84515 新型TEM样品支持膜氮化硅窗口的制作工艺
161-BG84515 一种大型水泥窑用矾土-氮化硅复合耐磨砖及其制造方法
162-BG84515 一种氮化硅纳米无纺布及其制备方法
163-BG84515 流化床直接制取氮化硅的装置
164-BG84515 氮化硅陶瓷整体坩埚
1-BG84515 纳米级氮化硅复合材料发热体及制作工艺
2-BG84515 基底氧化硅氮化硅氧化硅硅组件的制造方法
3-BG84515 氮化硅只读存储器组件的制造方法
4-BG84515 防止天线效应的氮化硅只读存储器组件的结构
5-BG84515 氮化硅只读存储器的结构与制造方法
6-BG84515 采用含钛有机金属材料的化学汽相淀积含硅氮化钛的工艺
7-BG84515 氮化硅只读存储器的制造方法
8-BG84515 等离子体化学气相法批量生产氮化硅粉体转相工艺及系统
9-BG84515 氮化硅内存的制造方法
10-BG84515 用燃烧合成高α相超细氮化硅粉体及氮化硅晶须的方法
11-BG84515 等离子体化学气相法制备高α相氮化硅粉体的工艺
12-BG84515 低介电氮化硅膜及其制造方法和半导体器件及其制造工艺
13-BG84515 氮化硅的自研磨
14-BG84515 氮化硅陶瓷、制备它们的硅基组合物以及它们的制备工艺
15-BG84515 氮化硅工程陶瓷烧结新工艺
16-BG84515 氮化硼纤维补强反应烧结氮化硅陶瓷
17-BG84515 无压烧结高韧性氮化硅基陶瓷材料及其制造方法
18-BG84515 双管加压制备氮化硅超细粉的方法
19-BG84515 反应结合氮化硅体浸渍工艺
20-BG84515 高性能β-氮化硅晶晶须的制备方法
21-BG84515 氮化硅基复合陶瓷及其活塞顶
22-BG84515 具有结晶晶界相的自增强氮化硅陶瓷及制备方法
23-BG84515 碳氮共掺法制备氮化硅的连续工艺和制得的氮化硅
24-BG84515 高致密、低气孔率氮化硅-碳化硅-氧化物系统耐火材料
25-BG84515 氮化硅陶瓷及其成型工艺
26-BG84515 纳米碳化硅-氮化硅复相陶瓷及其制备方法
27-BG84515 氮化硅材料固相有机前驱体除氧增强的方法
28-BG84515 以氮化铝为绝缘埋层的绝缘体上的硅材料制备方法
29-BG84515 添加氧化镁及稀土氧化物的烧结氮化硅陶瓷
30-BG84515 碱性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺
31-BG84515 酸性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺
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