行业技术资料网
行业技术资料网 委托查询 货到付款 关于我们 客户保障 付款方式 售后服务
首页 委托查询 货到付款 关于我们 客户保障 付款方式 售后服务
本网所有资料均开通货到付款业务
当前路径:网站首页化学冶金晶体生长
>>结构光子晶体生产制备加工工艺,光子晶体,二极管,多
>>制造硅单晶生产制造工艺,单晶,保护气氛,电阻率碳化
>>凝固多晶硅生产制造工艺,凝固多晶硅,驱动传动机构,
>>光子晶体,晶体生产制造工艺,光纤,聚合物胶体,制造
>>硅单晶,直拉硅单晶生产制造工艺,碳化硅单晶,控制硅
>>水合硼生产制造工艺,尺寸水合硼酸,酒石酸锶,酒石酸
>>直拉单晶炉生产制造工艺,硅单晶,直拉法单晶炉,加热
>>直拉单晶炉生产制造工艺,晶体,自动检测装置,光学系
>>掺杂硫生产制造工艺,光催化剂,硫化锌纳米材料,二氧
>>硅单晶硅生产制备加工工艺,制造硅单晶,晶体管,掺杂
>>复合激光晶体生产制造工艺,激光晶体,钨酸,钨酸类技
>>凝固多晶硅生产制造工艺,凝固多晶硅,传动机构,传动
>>电化学法氧化锌相关技术研究,氧化锌薄膜,化学沉积,
>>质量半导体生产制备加工工艺,半导体,半导体集成电路
>>单晶金刚石生产制造工艺,金刚石单晶,具有薄膜,金刚
>>碳化硅,晶体生长生产工艺配方技术,高温气体传感器,
>>晶体,激光晶体生产制造工艺,氟化钙,磷酸钙,磷酸钙
>>制备铌生产制造工艺,压电陶瓷,单晶,凝胶,铌合金,
>>生长硅单晶生产制造工艺,碳化硅单晶,控制硅单晶,可
>>晶体,晶体生长生产制造工艺,坩埚,蛋白质晶体生长,
温馨提示:

我们不销售任何技术名称对应的实物产品和设备,请购买实物产品和设备的朋友不要咨询.谢谢!
 ◆半导体,晶片

半导体,晶片专题技术光盘》

[打印本页] [收藏本页] [将当前页设为首页]
订购请记住光盘编号:1001-82528    光盘价格:230.00元
订购方式:
1、货到付款--点击此处填写订单
2、担保交易--
 
详细光盘目录如下:
[32-BG82528]  Ⅲ族氮化物半导体晶体及其制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体外延晶片-CN1639393 -

[英文标题]
Group III nitride semiconductor crystal, production method thereof and group III nitride semiconductor epitaxial wafer
[中文摘要]
一种制造III族氮化物半导体晶体的方法,包括以0至1,000的V/III比提供III族原材料和V族原材料以在热衬底上形成并生长III族氮化物半导体的第一步骤,以及使用III族原材料和氮原材料在衬底上气相生长III族氮化物半导体晶体的第二步骤。
[英文摘要]
A method for producing a Group III nitride semiconductor crystal includes a first step of supplying a Group III raw material and a Group V raw material at a V/III ratio of 0 to 1,000 to form and grow a Group III nitride semiconductor on a heated substrate and a second step of vapor-phase-growing a Group III nitride semiconductor crystal on the substrate using a Group III raw material and a nitrogen raw material.

[33-BG82528]  氮化镓系化合物半导体的外延结构及其制作方法-CN1677697 -

[英文标题]
Epitaxial structure of gallium nitride series compound semiconductor and mfg. method
[中文摘要]
一种氮化镓系化合物半导体的外延结构及其制作方法,该外延结构包括一基材;一第一氮化镓缓冲层,形成于该基材上;一第二氮化铟镓缓冲层,形成于第一氮化镓缓冲层上;及一氮化镓外延层,形成于第二氮化铟镓缓冲层上。该制作方法是在一基材上于第一温度下外延形成一氮化镓第一缓冲层,接着于第二温度下形成另一氮化铟镓第二缓冲层于该第一氮化镓缓冲层上,再将温度升至第三温度并于升温过程中维持前驱物三甲基铟及氨气于氮化铟镓第二缓冲层上做表面处理,最后于第三温度下成长一高温氮化镓外延层。本发明提供的缓冲层结构及成长方法使得后续外延成长的氮化镓系外延层具有较完美的晶体结构及较低的缺陷密度,故能有效地提升组件的效率及使用寿命。
[英文摘要]
The epitaxial structure comprises following parts: a substrate; a first buffer layer of gallium nitride formed on the substrate; a second buffer layer of gallium indium nitride formed on the first buffer layer; and a epitaxial layer of gallium nitride formed on the second buffer layer. Steps for preparing the structure are as following: forming the first buffer layer of gallium nitride on the substrate at first temperature through epitaxy; forming second buffer layer of gallium indium nitride on the first buffer layer at second temperature; in procedure of raising temperature to third temperature, carrying out su*ce treatment by maintaining predecessor of trimethyl aluminum and ammonia on second buffer layer; finally, epitaxial layer of gallium nitride is developed at third high temperature. Advantages are: perfective crystal structure and lower density of defects increase efficiency and lifetime of subassembly.

[34-BG82528]  半导体存储器件及其使用镶嵌栅极和外延生长的制造方法-CN1481028 -

[英文标题]
Semiconductor memory and mfg. method for its used inlayed grid and epitaxial growth
[中文摘要]
一种半导体存储器件及其制造方法,包括在硅衬底上形成牺牲栅极的工艺,牺牲栅极相互分开设置。方法还包括在牺牲栅极之间的硅衬底的露出部分上形成第一导电层,形成第一层间绝缘层露出第一导电层和牺牲栅极,除去露出的牺牲栅极以形成开口,以及在开口中顺序形成镶嵌栅极。方法还包括在栅极顶部上形成帽盖层,在露出的第一导电层上形成第二导电层,在硅衬底上形成第二层间绝缘层,以及蚀刻第二层间绝缘层形成露出第二导电层的位线接触。
[英文摘要]
A semiconductor memory device and fabrication method of same includes the processes of forming sacrifice gates on a silicon substrate with the sacrifice gates apart from each other. A first conductive layer is formed on an exposed portion of the silicon substrate between the sacrifice gates and a first inter-insulation layer is formed that exposes the first conductive layer and the sacrifice gates. The exposed sacrifice gates are removed to form openings and damascene gates are subsequently formed in the openings. Capping layers are formed on the top of the gates and a second conductive layer is formed on the exposed first conductive layer. A second inter-insulation layer is formed on the silicon substrate, and bit line contacts that expose the second conductive layer are formed by etching the second inter-insulation layer.

[35-BG82528]  化合物半导体发光器件的外延衬底及制造方法和发光器件-CN1484324 -

[英文标题]
Epitaxial substrate for compound semiconductor lumination device and mfg method and luminous device
[中文摘要]
为了提高发光效率而不致降低发光层结构的保护性能,设置了一种与发光层结构相接触的由第一到第三层组成的3-层p-型层结构。第一层是一层n-型AlGaN层,它用作保护层,第三层是一层GaN∶Mg层,它用作接触层,形成在这两层之间的第二层是一层作为中间层的AlGaN∶Mg层,设置中间层,即使在n-型AlGaN层做得很薄的情况下,也能使InGAN层在其上生长延层时得到彻底的防热保护,以此可以使GaN∶Mg层设置得接近发光层结构,以增强向发光层结构中注入空*的效率,从而提高发光效率。
[英文摘要]
A three layer p-side contact structure to an InAlGaN light emitting layer structure comprises an undoped AlGaN first layer, a magnesium doped AlGaN second layer with a lower Al concentration than the undoped layer, and a final magnesium doped GaN third layer. The first and second layers may have n-type or p-type conductivity. The first two layers protect the indium containing layers in the active layer structure from heat during growth of the GaN third layer. The first two layers may be made thin to improve injection of holes from the GaN third layer to enhance the efficiency of hole injection into the light emitting layer and increase the light emission efficiency.

[36-BG82528]  氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法-CN1490844 -

[英文标题]
Horizontal epitaxial growth of gallium nitride and its compound semiconductor
[中文摘要]
本发明提出了一种氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法,先在衬底蓝宝石(0001)或硅(111)或碳化硅(0001)晶面上采用金属有机物化学气相沉积或分子束外延或氢化物气相外延生长一层本征氮化硅,随后其上沉积一层氮化硅或二氧化硅或氮氧化硅作为掩模区,利用光刻和湿法刻蚀或干法刻蚀技术在掩模区上刻出图形,掩模区的图形设计成相邻窗口边沿氮化镓的[10-10]晶向,夹角为60度或120度的三角形或平行四边形或菱形或六角形或以上图形的组合图形结构,最后再采用金属有机物化学气相沉积或分子束外延或氢化物气相外延进行氮化镓及其化合物的二次外延生长,即横向外延。
[英文摘要]
The present invention provides a method for growing a lateral epitaxy of the gallium nitride and its compound semiconductors, comprising the following steps: growing an intrinsic gallium nitride on the ( 0001 ) crystal face of sapphire or the ( 111 ) of silicon or the ( 0001 ) of silicon carbide using the metal organic chemical vapor deposition or the molecule beam epitaxy or the hydride vapor epitaxy; then depositing on it a layer of silicon nitride or silicon dioxide or silicon nitride-oxide as the mask area; patterning the mask area using the photolithography and wet or dry etch techniques, the pattern of the mask area being designed into the pattern structure of the * or parallelogram or rhombus or hexagon with the included angles of 60 or 120 degrees or the combination of above shapes which are constituted of the [ 10 - 10 ] crystal direction of gallium nitride on the edge of the adjacent windows; and finally growing the secondary epitaxy, that is, lateral epitaxy of gallium nitride and its compound using the metal organic vapor deposition or the molecule beam epitaxy or the hydride vapor epitaxy.

[37-BG82528]  具有外延的C49-硅化钛(TiSi2)层的半导体装置及其制造方法-CN1534749 -

[英文标题]
Semiconductor device having epitaxial C49 titanium silicide (TiSi2)layer and its manufacturing method
[中文摘要]
本发明是关于一种具有C49相的外延生长硅化钛层的半导体装置及其制造方法。此硅化钛层具有预定而不转换该钛层相的界面能量,因此,可防止钛层凝块及沟纹现象的发生。该半导体装置包括:硅层;形成在该硅层上的绝缘层,其中打通部分的绝缘层以形成曝露出部分硅层的接触孔;外延生长的硅化钛层,其具有C49相且会形成在该已布置于该接触孔内的经曝露出的硅基材上;及金属层,其形成在该硅化钛层的表面上。
[英文摘要]
A semiconductor device with an epitaxially grown titanium silicide layer having a phase of C49 and a method for fabricating the same. The titanium silicide layer has a predetermined inte*cial energy that does not transform the phase of the titanium layer, and thus, occurrences of agglomeration of the titanium layer and a grooving phenomenon can be prevented. The semiconductor device includes: a silicon layer; an insulation layer formed on the silicon layer, wherein a partial portion of the insulation layer is opened to form a contact hole exposing a partial portion of the silicon layer. An epitaxially grown titanium silicide layer having a phase of C49 and is formed on the exposed silicon substrate disposed within the contact hole; and a metal layer is formed on an upper su*ce of the titanium silicide layer.

[38-BG82528]  一种制备在GaAs基底上生长含Al外延层半导体材料的方法-CN1536621 -

[英文标题]
Method for preparaing Al epitaxial layer contained semiconductor material grown on GaAs substrate
[中文摘要]
本发明涉及一种制备在GaAs基底上生长含Al外延层的半导体材料的方法,将GaAs衬底在真空中,以常规方法将其表面在As分子束保护下加热到580℃脱去表面氧化膜,然后通入As:Ga束流,生长GaAs缓冲层,在GaAs缓冲层表面再生长含Al外延层,最后覆盖GaAs盖帽层,得到半导体材料,其特征在于:在400℃~650℃,采用As分子束保护,在GaAs缓冲层表面再生长含Al外延层时,加入As原子摩尔数的1~10%的In原子作为表面活化剂。本发明可以增强其它原子在外延表面的迁移长度,从而达到改善多层外延膜的界面质量和体质量的目的。
[英文摘要]
The invention relates to a method to prepare a semiconductor material with an Al-containing epitaxial layer grown on a GaAa substrate, placing the GaAa substrate in vacuum to heat its su*ce to 580 deg.C by routine method under the protection of As molecular beams to eliminate the oxide film, then charging As:Ga beam current to grow a GaAs buffer layer, regrowing an Al-containing epitaxial layer on the GaAs buffer layer, and finally covering a GaAs cap layer so as to obtain the semiconductor material. The character of the semiconductor material: at 400-650 deg.C, adopt As molecular beams for protection, and at the time of regrowing a Al-containing epitaxial layer, add in In atoms as su*ce- active agent, where the mole number of In atom is 1-10% of that of Al atom. It can enhance the migratory length of other atoms on the epitaxial su*ce, thus achieving the purpose of improving the inte*ce and body quality of multilayer epitaxial film.

[39-BG82528]  在绝缘体上的外延半导体结构和器件-CN1535472 -

[英文标题]
Epitaxial semiconductor on insulator (SOI) structures and devices
[中文摘要]
通过形成用于生长单晶层的柔性衬底,在例如大尺寸硅晶片的单晶衬底(22)上面生长高质量外延单晶材料层(26)。调节缓冲层(24)包括通过氧化硅的非晶界面层(28)与硅晶片(22)隔开的单晶氧化层。非晶界面层释放应力并允许生长高质量单晶氧化物调节缓冲层。调节缓冲层与下面的硅晶片和上面的单晶材料层都晶格匹配。接着在调节缓冲层上形成单晶层(26),以使单晶层的晶格常数基本上与随后生长的单晶膜的晶格常数相匹配。
[英文摘要]
High quality epitaxial layers of monocrystalline materials (26) can be grown overlying monocrystalline substrates (22) such as large silicon wafers by forming a compliant substrate for growing the monocrystalline layers. An accommodating buffer layer (24) comprises a layer of monocrystalline oxide spaced apart from the silicon wafer (22) by an amorphous inte*ce layer (28) of silicon oxide. The amorphous inte*ce layer dissipates strain and permits the growth of a high quality monocrystalline oxide accommodating buffer layer. The accommodating bufferlayer is lattice matched to both the underlying silicon wafer and the overlying monocrystalline material layer. A monocrystalline layer (26) is then formed over the accommodating buffer layer, such that a lattice constant of the monocrystalline layer substantially matches the lattice constant of a subsequently grown monocrystalline film.

[40-BG82528]  用于测量半导体外延晶片耐受电压的方法和半导体外延晶片

[英文标题]

[中文摘要]

[英文摘要]


[41-BG82528]  氮化物半导体外延层的生长方法-CN1820353 -

[英文标题]
Growth method of nitride semiconductor epitaxial layers
[中文摘要]
本发明涉及一种生长氮化物半导体外延层的方法,该方法包括以下 步骤:在第一温度下,在第一氮化物半导体外延层上生长第二氮化物半 导体外延层;在第二温度下,在第二氮化物半导体外延层上生长第三氮 化物半导体外延层;通过将温度升高至比第二温度高的第三温度,以便 从第二氮化物半导体外延层中释放出氮,从而可以降低外延层的缺陷密 度并减少基片的翘曲。
[英文摘要]
The present invention relates to a method for growing a nitride semiconductor epitaxial layer, which comprises the steps of growing a second nitride semiconductor epitaxial layer on a first nitride semiconductor epitaxial layer at a first temperature, growing a third nitride semiconductor epitaxial layer on the second nitride semiconductor epitaxial layer at a second temperature, and releasing nitrogen from the second nitride semiconductor epitaxial layer by increasing a temperature to a third temperature higher than the second temperature, thereby, it is possible to lower the defect density of epitaxial layers and reduce warpage of a substrate.

42 200380100235 贴合绝缘体基外延硅基片及其制造方法与半导体装置
43 200510072027 半导体发光器件用外延片和半导体发光器件
44 200410054828 硅衬底上Ⅲ族氮化物半导体外延生长技术
45 200380107421 通过外延形成半导体器件的方法
46 200510043168 GaN半导体材料的异质外延方法
47 200510097748 半导体衬底及在半导体衬底上通过外延生长制造的半导体器件
48 200510092797 蓝宝石基板、外延基板及半导体装置
49 200510099023 外延基底和半导体元件
50 200410081008 一次外延形成半导体激光器和模斑转换器的方法
51 200480007423 半导体外延晶片
52 200510073150 内吸杂的异质外延半导体晶片及其制造方法
53 200410103536 固态半导体装置用的外延基板、固态半导体装置及其制法
54 200510129580 具有外延沉积层的半导体晶片以及该半导体晶片的制造方法
55 200610006728 外延半导体衬底的制造方法和半导体器件的制造方法
56 200610044258 垂直腔面*半导体激光二极管的外延结构
57 200610091740 化合物半导体衬底、外延衬底、制造化合物半导体衬底和外延衬底的方法
58 200480033046 化合物半导体外延基板的制造方法
59 200610093296 氮化物晶体、氮化物晶体衬底、含有外延层的氮化物晶体衬底、半导体器件及其制备方法
60 200510017029 一种铁掺杂硫化镉稀磁半导体外延薄膜的制备方法
61 200480038302 利用固相外延再生长的具有降低的掺杂轮廓深度的半导体衬底及其制作方法
62 200610079892 外延涂覆半导体晶片的方法及装置、以及外延涂覆的半导体晶片
63 200510080420 使用固相外延法形成半导体器件接触的方法
64 200510080424 使用固相外延的半导体器件及其制造方法
65 200480037956 利用固相外延再生长的具有降低的结泄漏的半导体衬底及其制作方法
66 200510086314 一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法
67 200610115969 半导体发光元件用外延晶片、其制造方法及半导体发光元件
68 200610139233 半导体外延晶片及其制造方法
69 200610140367 用于制造半导体器件的方法以及外延生长装置
70 200680000315 Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底
71 200680000348 垂直氮化镓半导体器件和外延衬底
72 200680000432 Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底
73 200680000560 Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底
74 200610016822 有机半导体晶体薄膜及弱取向外延生长制备方法和应用
75 200710135923 氮化物半导体衬底、其制法及氮化物半导体发光器件用外延衬底
76 200580041921 在半导体衬底上制造外延层的方法及用这种方法制造的器件
77 200710135880 共用Ⅲ-Ⅴ化合物半导体晶片上集成器件外延晶片的制造方法
78 200810006666 垂直结构的半导体外延薄膜封装
79 200810106833 半导体外延片的压焊方法
80 200810106834 半导体外延片的压焊结构
81 200810090314 半导体外延衬底、化合物半导体器件及其制造方法
82 200810097184 GaN衬底以及采用该衬底的外延衬底和半导体发光器件
83 200710162471 化合物半导体衬底及其抛光方法、外延衬底及其制造方法
84 200780000365 复合氮化物半导体结构的外延成长
85 200810129892 用于制造半导体器件的方法以及外延生长装置
86 200810130233 GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法
87 200810130234 GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法
88 200710044176 一种用于半导体材料液相外延生长的隧穿式石墨舟
89 200810172909 半绝缘氮化物半导体衬底及其制造方法、氮化物半导体外延衬底和场效应晶体管
90 200780016774 在硅上无金属合成外延半导体纳米线的方法
91 200810169999 半导体发光元件用外延晶片及半导体发光元件
92 200810168983 制造GaN衬底、外延晶片和半导体器件的方法以及外延晶片
93 200780019831 半导体薄膜的选择性外延形成
94 200780025186 化合物半导体外延基板及其制造方法
95 200910025383 半导体薄膜的纳区横向外延生长方法
96 200780034062 半导体外延结晶基板的制造方法
97 200810100951 实现超高真空半导体外延片解理和腔面多层镀膜的系统
98 200910004431 具有异质外延层的半导体晶片以及制造该晶片的方法
99 200910128964 具有异质外延层的半导体晶片以及制造该晶片的方法
100 200780039049 Ⅲ族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法
101 200810103523 一种半导体氮化镓外延薄膜衬底的制备方法
102 200910137023 氮化物半导体激光器及其制造方法、外延晶圆的制造方法
103 200880001356 GaN外延衬底、半导体器件以及制造GaN外延衬底和半导体器件的方法
104 200910139123 用于制造外延半导体晶片的方法
105 200910079885 检测半导体晶体或外延薄膜材料极性的方法及检测系统
106 200880006389 具有自对准外延源极和漏极延伸部分的半导体器件
107 200910140218 Ⅲ族氮化物类半导体发光元件及外延晶圆
108 200910164545 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体衬底、外延晶片及它们的制造方法
109 200880010360 基于氮化镓的外延晶片和制造基于氮化镓的半导体发光器件的方法
110 200780045929 在Ⅳ族半导体基底上形成外延层的方法
111 200780051972 通过气相外延法制备半导体化合物材料的方法及装置
112 200910170459 制造氮化物半导体光学器件和外延晶片的方法
113 200880016059 具有无尖端外延源极漏极区的半导体器件
114 200880021916 电子器件的制作方法、外延衬底的制作方法、Ⅲ族氮化物半导体元件及氮化镓外延衬底
115 200910238450 硅片上外延化合物半导体材料的过渡层单晶制备方法
116 200810226677 一种半导体p-i-n结太阳能电池外延片及其制备方法
117 201010033391 940nm~1000nm波段半导体激光器量子阱外延结构
118 201010123875 氮化镓类半导体光元件及其制造方法、外延晶片
119 200880102702 Ⅲ族氮化物半导体外延基板
120 200880109044 化合物半导体外延晶片及其制造方法
121 200880114264 Ⅲ族氮化物电子器件及Ⅲ族氮化物半导体外延衬底
122 200920214350 半导体外延设备中用于去除基座表面杂质的装置
123 200920219188 三维垂直结构的半导体外延薄膜贴片式封装

1 02151469 超薄绝缘体基外延硅金属氧化物半导体晶体管的阈值电压调节方法
2 02148143 硅锗绝缘体上外延硅互补金属氧化物半导体及其制造方法
3 03104114 具有部分绝缘体基或部分空洞基外延硅构造的半导体器件
4 03125163 GaN单晶基底、氮化物类半导体外延生长基底、氮化物类半导体器件及其生产方法
5 03122641 薄膜半导体外延衬底及其生产工艺
6 03119981 外延涂覆半导体晶片的方法及装置、以及外延涂覆的半导体晶片
7 96121634 用于半导体器件的外延膜生长方法
8 95194873 用于外延生长半导体层的金属有机化合物的制备
9 96190844 作为半导体外延薄膜生长用衬底的方铁矿结构氧化物
10 97104545 化合物半导体的气相外延工艺
11 91101787 半导体气相外延的减压方法及系统
12 98125138 利用有选择的外延生长方法的半导体器件制造方法
13 99120381 外延晶片、其制造方法和化合物半导体衬底的表面清洗方法
14 98805461 减小绝缘体基外延硅半导体元件中电场强度的方法和器件
15 00120258 在晶格高度失配的衬底上外延生长半导体的方法
16 00129590 磁性半导体半导体异质液相外延生长方法
17 00133595 半导体材料外延的废气中所含砷微粒的回收设备
18 02106903 III-V族化合物半导体晶体结构及其外延生长方法和半导体器件
19 200710030020 一种无掩膜半导体外延片制作方法
20 200710152826 -sup掺杂及外延涂覆的硅半导体晶片的方法&C30B15002006.01Ia01 用于制造psup-sup掺杂及外延涂覆的硅半导体晶片的方法
21 200710173709 半导体衬底及制备方法和在绝缘体上的硅与外延中的应用
22 200480030752 使用含碳硅和锗化硅外延源漏极的高性能应力增强金属氧化物半导体场效应晶体管及制造方法
23 200680023027 用于通过氢化物气相外延法制造自支撑半导体衬底的半导体衬底和掩模层及所述自支撑半导体衬底的制造方法
24 200710185132 外延涂覆半导体晶片及其制造方法和装置
25 90203696 一种半导体气相外延反应管
26 200410010792 氧化物半导体外延膜高通量X射线衍射分析方法
27 200410027605 半导体外延片性能自动测试装置及其测试方法
28 200410027604 半导体外延片自动焊接装置及其焊接方法
29 02808195 用于在半导体衬底上外延淀积膜的系统和方法
30 02826543 一种用于形成如图5所示具有衬底2、带有至少一个沟槽52的电压维持外延层1、以及邻接并环......
31 200310115258 用液相外延法生长氧化锌蓝紫光半导体
以上正是我所需要的技术,点击此处订购
[打印本页] [收藏本页] [将当前页设为首页]
搜索关键字