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 ◆硅单晶,直拉硅单晶

硅单晶,直拉硅单晶专题技术光盘》

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详细光盘目录如下:
[32-BG82446]  硅单晶薄片制造晶体管的方法-CN1064766 -

[英文标题]
Method for * transistor with silicon single crystal thin section
[中文摘要]
本发明公开了一种硅单晶薄片制造晶体管的方法,它包括a.在原始单晶片上预先扩散入N杂质,b.硅片单面机械研磨、抛光,c.在400℃~1200℃范围内生长或沉积介质膜层,d.硅片背面涂高纯玻璃粉在500℃~1200℃的温度下将两张背靠背的硅单晶薄片烧结,e.双面或单面法制造晶体管,f.制成晶体管芯片后用化学腐蚀方法分离上述硅片。本发明的优点是革除了常规半导体工业所采用的高温(1275℃)和长时间(200小时)的三重扩散法,同时具有节能,省硅材料和缩短生产周期的特点。
[英文摘要]
The invention includes pre-diffusing N+ impurity into original monocrystal substrate, grinding and polishing one side of the silicon substrate, generating or depositing dielectric film under temp. of 400-1200 deg.C, coating glass powder onto the back su*ce of the silicon substrate and sintering two monocrystal silicon substrates back to back under temp. of 500-1200 deg.C, transistors * by double or single side method, and separating the above silicon substrate with chemical corrosion after the transistor chip is finished. The invention is energy-saving, silicon-saving, and short in production period.

[33-BG82446]  含氮直拉硅单晶的热处理方法-CN1083874 -

[英文标题]
Heat treating method of straightly pulled monocrystalline silicon in nitrogen-containing atmosphere
[中文摘要]
一种含氮直拉硅单晶的热处理方法,其特征是在氮保护气氛下,分别经过850℃~1150℃高温退火处理和650℃中温退火处理。通过这种热处理后的含氮直拉硅单晶,才能有效地消除硅中氮含量和氧含量的附加施主干扰,才便于电阻率测试和半导体器件制造。
[英文摘要]
N-containing straightly-pulled monocrystalline silicon goes through ligh-temp (850-1150 deg.C) and middle-temp (650 deg.C) annealings respectively under the nitrogen protecting atmosphere to effectively eliminate the interference of additional donor with N and O contents in silicon, so benefiting resistivity measurement and semiconductor device manufacture.

[34-BG82446]  生产碳化硅单晶的方法-CN1191580 -

[英文标题]
Process for for producing silicon carbide monocrystals
[中文摘要]
公开了一种生产SiC立体单晶的新方法。在高的超压下将SiC粉末或者其它原料溶解在一种溶剂中,并在一个晶核上生长。
[英文摘要]
A new process is disclosed for producing SiC three-dimensional monocrystals. SiC powder or another starting material is dissolved under high overpressures in a solvent and grown on a seed.

[35-BG82446]  硅单晶的生产方法以及实现该方法的加热装置-CN1189546 -

[英文标题]
Process for producing silicon single crystal, and heater for carrying out the process
[中文摘要]
本发明涉及一种用却赫拉尔斯基方法生产硅单晶方法,以及一种用来加热装硅料坩埚并被安装在坩埚下面的加热装置。该方法的特征在于,至少在一段时间内,使用安装在坩埚下面的线圈加热装置,并以感应方式把能量传递给熔体。设计该加热装置具有缠绕线圈型状。
[英文摘要]
A process for producing a silicon single crystal by the Czochralski method, utilizes a heater which is intended for heating a silicon-filled crucible and is arranged below the crucible. The process has energy delivered to the melt at least some of the time inductively using a coiled heater arranged under the crucible. The heater is in the form of a wound coil.

[36-BG82446]  硅单晶的制造方法及其使用的晶种-CN1193054 -

[英文标题]
Method for * silicon single crystal and used seed crystal
[中文摘要]
在一种利用柴克劳斯基法制造硅单晶的方法中,使用一种具有尖点形状或是尖点截头之尖端的晶种。晶种尖端缓慢与硅烷体接触,并且以缓慢的速度降低晶种的高度,以便熔融晶种尖端部直到该尖端部的面积增加到预定值。接着慢慢将晶种向上提拉,以便生长出具有预定直径的硅单晶晶锭而不进行缩颈操作。此方法可以轻易地提拉出重的硅单晶,而不进行缩颈操作,同时不需要使用例如晶体固定机构等的复杂装置。
[英文摘要]
In a method of manufacturing a silicon monocrystal using the Czochralski method, there is used a seed crystal whose tip end has a sharp-pointed shape or a truncation thereof. The tip end of the seed crystal is gently brought into contact with the silicon melt, and the seed crystal is then lowered at a low speed in order to melt the tip end portion of the seed crystal until the size of the tip portion increases to a desired value. Subsequently, the seed crystal is slowly pulled upwardly in order to grow a silicon monocrystalline ingot having a desired diameter without performing necking operation. This method enables a heavy silicon monocrystal to be pulled quite simply without performance of necking operation, while eliminating the necessity of using a complicated apparatus such as a crystal holding mechanism.

[37-BG82446]  用硅衬底β碳化硅晶体薄膜生长碳化硅单晶体-CN1224084 -

[英文标题]
Film growth of silicon carbide monocrystal using silicon substrate beta-silicon carbide crystal
[中文摘要]
本发明利用硅衬底上异质外延的β碳化硅晶体薄膜生长碳化硅单晶体,属于晶体制备技术领域,是针对碳化硅这种难熔、难制晶体提出的一种特殊方法。这种方法把3C-SiC异质外延单晶薄层及其硅衬底作为一体化的液相外延衬底和源,利用硅衬底熔化后溶解石墨坩埚壁形成的碳饱和溶液,实现以β-SiC外延薄膜为籽晶进行的碳化硅晶体单面抛光的低温、低成本生长。由于生长过程只涉及高纯石墨和硅片,可避免升华法生长碳化硅的高度杂质补偿。
[英文摘要]
A technology for growing silicon carbide monocrystal with heterogeneously epitaxial beta-silicon carbide crystal film on silicon substrate features that the heterogeneously epitaxial 3C-SiC monocrystal film and silicon substrate are integrated as liquid-phase epitaxial substrate and source and the carbon saturated solution formed by molten silicon substrate dissolving the wall of graphite crucible is used to realize the growth of SiC crystal using epitaxial beta-SiC film as crystal seed with polished single su*ce and low cost at low temp. Its advantage is no need of impurities compensation.

[38-BG82446]  制造碳化硅单晶的方法和用于制造碳化硅单晶的装置-CN1225953 -

[英文标题]
Method of * sic single crystal and apparatus for * sic single crystal
[中文摘要]
一种用于制造SiC单晶的装置,包括:一Si设置部分,其中放有固态硅;一籽晶设置部分,其中放有SiC的籽晶;一合成容器,适合于容纳Si设置部分、籽晶设置部分和碳;加热构件,适合于加热Si设置部分和籽晶设置部分;和一控制部分,用于向加热构件输送一指令,以将硅加热到硅的蒸发温度或更高,和将籽晶加热到高于Si的温度;其中,由加热构件蒸发的Si适于达到籽晶设置部分。本发明还涉及制造SiC单晶的方法。
[英文摘要]
An apparatus comprises an Si-disposing section in which solid Si is disposed; a seed-crystal-disposing section in which a seed crystal of SiC is disposed; a synthesis vessel adapted to accommodate the Si-disposing section, the seed-crystal-disposing section, and carbon; heating means adapted to heat the Si-disposing section and the seed-crystal-disposing section; and a control section for transmitting to the heating means a command for heating the Si to an evaporation temperature of Si or higher and heating the seed crystal to a temperature higher than that of Si; wherein the Si evaporated by the heating means is adapted to reach the seed-crystal-disposing section. The invention also relates its production.

[39-BG82446]  生产硅单晶的直拉区熔法-CN1267751 -

[英文标题]
Vertical pulling and zone melting process of producing monocrystalline silicon
[中文摘要]
一种生产硅单晶的直拉区熔法,是由直拉炉和区熔炉完成的,步骤如下:(1)将料装入直拉炉抽真空充氩气,(2)加热化料熔接籽晶,(3)拉细颈,(4)放肩收肩,(5)等径生长,(6)收尾,(7)降温出炉,(8)对多晶棒定形加工清洗腐蚀,(9)装入区熔炉抽真空充氩气,(10)预热化料熔接籽晶,(11)引晶拉细颈,(12)放肩等径生长,(13)拉断尾部,(14)降温停炉晶体出炉。本发明克服了直拉硅中的高氧含量,生产的硅单晶氧含量为1016atm/cm3,热稳定性好,又克服了区熔法不能掺入特殊固态元素的不足,可掺入特殊固态元素,提高了区熔炉的产能,降低了生产成本缩短了生产周期。
[英文摘要]
The vertical pulling and zone melting process completed in both vertical pulling furnace and zone melting furnace includes the steps of: feeding material to vertical pulling furnace before vacuum pumping and charging argon; heating to melt material and welding seed crystal; pulling thin neck; * the shoulder larger first and smaller then; equidimensional growth; tailing; cooling and discharge; shaping, scarvenging and corroding polycrystal rod; feeding the rod into zone melting furnace before vacuum pumping and charging argon; preheating to melt polycrystal material and welding seed crystal; pulling thin neck; * the shoulder larger and equidimensional growth; breaking tail; finishing pulling and taking out monocrystal. The process has no demerits of vertical pulling process and zone melting process.

[40-BG82446]  控制硅单晶生长的方法与系统-CN1268194 -

[英文标题]
Method and system for controlling growth of a silicon crystal
[中文摘要]
与恰克拉斯基单晶生长装置一起使用的方法和系统。所述单晶生长装置具有一个加热坩埚,用来熔化固体硅而形成拉制单晶体的熔融硅,所述熔体有上表面,直到硅全部熔化之前其上方露出未熔化的硅,由摄像机产生一部分坩埚内部的图象,所述图象每幅包含大量像素,所述像素每个含有代表图象光学特性的一个值。用图象处理器将图象作为像素值的函数进行处理来检测图象边缘;将检测得的边缘组合成它们在图象中位置的函数来确定图象中的目标,所述确定的目标每个包含一个或多个像素,且至少所述被确定目标的一个是代表在熔体表面可见的一部分固体硅;用控制电路根据所确定的目标确定一个参量代表单晶生长装置的一种状态;以及根据所确定的参量来控制单晶生长装置。
[英文摘要]
Method and system for use with a Czochralski crystal growing apparatus. The crystal growing apparatus has a heated crucible for melting solid silicon to form a melt from which the single crystal is pulled. The melt has an upper su*ce above which unmelted silicon is exposed until melted. A camera generates images of a portion of the interior of the crucible. Each image includes a plurality of pixels and each pixel has a value representative of an optical characteristic of the image. An image processor processes the images as a function of the pixel values to detect edges in the images and groups the detected edges as a function of their locations in the images to define objects in the images. The defined objects each include one or more pixels and at least one of the defined objects is representative of a portion of solid silicon which is visible on the melt su*ce. A control circuit determines a parameter representative of a condition of the crystal growing apparatus based on the defined objects and controls the crystal growing apparatus in response to the determined parameter.

[41-BG82446]  去除硅单晶中重金属杂质的方法-CN1285422 -

[英文标题]
Method for removing heavy metal impurity from monocrystal silicon
[中文摘要]
本发明公开的去除硅单晶中重金属杂质的方法,是利用铁、铜、金等有害重金属在金属熔体中的溶解度远大于在硅单晶中溶解度的特点,把硅单晶浸入熔化的对硅单晶载流子寿命无影响的高纯锡或镓或铝或铟或铅或它们的组合的金属熔体中,使硅单晶中的有害重金属杂质扩散到金属熔体中,而实现彻底去除硅单晶中重金属杂质之目的,该方法设备简便,操作方便。
[英文摘要]
The method for removing heavy metal impurivy from silicon monocrystal is characterized by that on the basis of the characteristics of that the dissolubility of harmful heavy metals of iron, copper and gold, etc. in metal melt is far larger than that of them in silicon monocrystal, the silicon monocrystal is immersed in molten high-pure tin or gallium or aluminium or indium or lead or their combined metal melt which do not affect life of silicon monocrystal current carrier to make the harmful heavy metal impurity being in silicon monocrystal diffuse in metal melt so as to implement the goal of removing heavy metal impurity from silicon monocrystal. Saiv invented method and equipment are *, and its operation is convenients.

42 00122075 直拉硅单晶生长的重掺杂方法
43 01800727 硅片及硅单晶的制造方法
44 01105256 块状碳化硅单晶生长的制备方法
45 200710058315 直拉法生长掺镓硅单晶的方法和装置
46 200580049409 硅单晶的培育方法、以及硅晶片和使用该硅晶片的SOI衬底
47 200580049416 硅单晶的制造方法和硅晶片
48 200610114123 一种改进的生长掺杂硅单晶体的方法及其装置
49 200580049778 硅单晶的培育方法和采用该方法培育的硅单晶
50 200580050122 硅单晶的生长方法及硅晶片的制造方法
51 200680022260 制备碳化硅单晶的方法
52 200580051163 硅单晶提拉装置及其方法
53 200610113979 一种直拉硅单晶炉的熔硅液面位置的控制方法
54 200710148262 硅单晶的制造方法及硅片的制造方法
55 94239099 硅单晶片贴带装置
56 200720096818 直拉法生长掺镓硅单晶的装置
57 200720169560 一种用于直拉硅单晶炉热场的主发热体
58 200720173441 直拉硅单晶制备用坩埚
59 200720173483 一种直拉硅单晶制备用坩埚
60 03153378 基于区熔硅单晶的双极光晶体管及其探测方法
61 02821597 高电阻率碳化硅单晶体及制造方法
62 200410053863 生产高强度直拉硅单晶用的籽晶的制备方法
63 03126463 一种生长直拉硅单晶的重掺杂方法及掺杂装置
64 200410064692 太阳能级硅单晶生产工艺方法
65 200310112908 一种消除硅单晶片器件制作区原生坑缺陷的方法
66 02131184 直拉法硅单晶生长用硅籽晶及其加工方法
67 200310104772 制造掺杂高挥发性异物的硅单晶的方法
68 200310123311 硅单晶及其制造方法
69 03150806 一种具有晶格补偿的重掺硼硅单晶衬底
70 03115479 检测N型重掺硅单晶片或锭晶格缺陷的方法
71 200310108003 一种磁场下生长低缺陷密度直拉硅单晶的方法
72 200410031425 硅单晶的生产方法及装置、硅单晶和硅半导体晶片
73 200310113523 物理气相传输生长碳化硅单晶的方法及其装置
74 200310117761 用于重掺直拉硅单晶制造的掺杂方法及其掺杂漏斗
75 200310117760 用于八英寸重掺砷直拉硅单晶制造的上部热场
76 200310117762 用于六英寸及八英寸重掺磷直拉硅单晶制造的上部热场
77 200610049528 半导体器件与集成电路硅单晶废弃片的回收利用方法
78 200510023563 直拉硅单晶中低氧控制方法
79 200410018223 一种拉制硅单晶工艺方法
80 200510013851 大直径区熔硅单晶制备方法
81 200410066298 半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的新腐蚀方法
82 200510014891 液体涂抹法区熔硅单晶的掺锗方法
83 200510015279 磁场直拉硅单晶的制备方法
84 200510015280 区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的制备方法
85 200480011173 硅晶片及其制造方法、以及硅单晶生长方法
86 200510123870 硅单晶的生长方法、生长装置及由其制造的硅片
87 200610006496 制造具有受控制的碳含量的硅单晶的方法
88 200610014297 硅单晶衬底材料抛光液及其制备方法
89 200480024893 制备碳化硅单晶的方法
90 200610014304 硅单晶衬底材料表面粗糙度的控制方法
91 200610013498 大直径区熔硅单晶生产方法
92 200610013533 气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的生产方法
93 200610013534 区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的生产方法
94 200610013497 气相掺杂区熔硅单晶的生产方法
95 200610013477 区熔硅单晶炉电气控制系统
96 200510010744 光学玻璃和硅单晶非球面光学元件的加工方法
97 200610014303 硅单晶片器件制备区域表面完美性的控制方法
98 200610081294 一种碳化硅单晶生长后的热处理方法
99 200510027829 一种太阳能级硅单晶用料配方及制备
100 200610058255 高质量硅单晶的生长方法和装置、硅单晶结晶块及硅晶片
101 200610092779 制造硅单晶的方法
102 200610003165 高质量硅单晶结晶块的生长装置及使用此装置的生长方法
103 200580023035 碳化硅单晶及其蚀刻方法
104 200510132574 一种清除直拉硅单晶炉内SiO的方法及装置
105 200510132575 一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法及单晶炉
106 200610129891 无位错硅单晶的制造方法&C30B29062006.01Ia01 110无位错硅单晶的制造方法
107 200610013089 供高温力学量传感器用的纳米多晶硅-氮化铝隔膜-硅单晶衬底基片
108 200580028656 硅片及其制造方法,以及硅单晶的培育方法
109 200610155648 直拉法生长硅单晶产生的锅底料的除杂方法
110 200610119211 一种控制硅单晶切磨片残留损伤层厚度的方法
111 200580032490 用于大碳化硅单晶的高品质生长的籽晶和籽晶夹持器组合
112 200610156605 用于制造高质量硅单晶锭的方法以及由其制得的硅单晶片
113 200710084192 IGBT用硅单晶片和IGBT用硅单晶片的制造方法
114 200610026249 利用微影区域迭对测量仪监控硅单晶外延层层错状况的方法
115 200610046542 硅单晶锭X射线定向仪
116 200680004816 碳化硅单晶的制造方法
117 200710113772 一种低电阻高温度系数硅单晶热敏电阻及其制备方法
118 200810121644 一种硅单晶薄片预扩散单面减薄制造晶体管的方法
119 200810171401 硅单晶提拉方法
120 200810156749 硅单晶的生产方法
121 200810121643 一种硅单晶薄片氧化单面预扩散制造晶体管的方法
122 200780001250 硅单晶提拉装置
123 200810175871 一种硅单晶炉连续投料装置及设有该装置的硅单晶炉
124 200810122087 一种硅单晶片制造开放PN结快恢复整流二极管的方法
125 99813102 块状碳化硅单晶的生产
126 200810204445 一种薄型硅单晶抛光片加工方法
127 200710178096 一种控制直拉硅单晶生长过程中晶体和熔体界面处的温度梯度及热历史的方法
128 200780018105 制造碳化硅单晶的方法
129 200780011156 碳化硅单晶的制造方法
130 200780027056 控制CZ生长过程中由硅单晶侧面诱发的附聚点缺陷和氧簇的形成
131 200910301603 一种真空区熔高阻硅单晶的制备方法
132 200910022095 一种硅单晶生长的热场
133 200910097094 一种硅单晶棒的拼棒装置
134 200910097095 一种硅单晶棒的粘棒装置
135 200780044779 碳化硅单晶的制造方法
136 200910098804 一种利用掺氮籽晶生长硅单晶的方法
137 200910098437 一种太阳能硅单晶的制作方法
138 200910022094 一种生长硅单晶的热装置
139 200910099830 带水冷夹套的直拉式硅单晶生长炉
140 200910032628 硅单晶棒切片前处理方法及前处理夹具
141 200910032626 直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热场装置
142 200910099993 一种镓和锗共掺的直拉硅单晶
143 200910053571 碳化硅单晶表面多级化学机械抛光方法
144 200910089460 高纯高产率网络状分枝氮化硅单晶纳米结构的制备方法
145 200810210350 石英玻璃坩埚以及使用该石英玻璃坩埚的硅单晶提拉方法
146 200910305764 CZ法硅单晶生长炉石英坩埚碳素护埚及其制造工艺
147 200910152416 一种用硅单晶薄片制造晶体管的方法
148 200810222102 一种用于直拉硅单晶制备中的含氮掺杂剂的制备方法
149 200910199338 高品质大碳化硅单晶的制备方法及用其制备的碳化硅单晶
150 200910218910 用于生长硅单晶的节能热场
151 200910310766 一种增加直拉硅单晶装料量的方法及装置
152 200910311749 一种自动平衡补偿式硅单晶生长用提升装置
153 200910175318 改进的直拉硅单晶炉
154 200910003378 硅单晶提拉用石英玻璃坩埚的制造方法
155 200810172546 一种用于直拉硅单晶炉热场系统
156 200910175321 直拉硅单晶直径自动补偿方法
157 200910070376 少子寿命大于等于1000微秒的N型太阳能硅单晶生长工艺
158 201010166761 硅单晶的生长装置
159 201010166765 硅单晶的生长方法
160 201010166780 硅单晶的生长方法
161 200910175319 直拉硅单晶炉炉盖
162 201010104185 直拉硅单晶炉的硅熔体液面位置及单晶棒直径的测量方法
163 201010300218 一种真空气氛下制备高阻区熔硅单晶的加热线圈装置
164 201010132399 直拉硅单晶的镓元素掺杂方法及所用掺杂装置
165 201010122910 太阳能级硅单晶混合掺杂配料方法
166 200880105838 硅单晶提拉用晶种以及使用该晶种的硅单晶的制造方法
167 200880025381 碳化硅单晶的生长方法
168 200910312899 18英寸热场生长Φ8″太阳能级直拉硅单晶工艺
169 201010213871 一种高阻硅单晶的制备方法
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173 200420079639 硅单晶炉热系统装置
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177 200520146921 一种带有后氧化装置的直拉硅单晶炉
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179 200520129466 太阳能硅单晶炉的组合铜排
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181 200620116090 用于硅单晶炉的坩埚轴传动部件
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184 200820109365 硅单晶炉生长晶体实时称重装置
185 200820109456 一种用于切克劳斯基法制造硅单晶再装料用的锥形底托
186 200820109454 一种用于切克劳斯基法制造硅单晶再装料或籽晶装置中钢绳的紧固件
187 200820154630 设有掺杂器的直拉硅单晶炉
188 200820178207 一种硅单晶炉连续投料装置及设有该装置的硅单晶炉
189 200820182587 太阳能硅单晶炉热场的导流筒
190 200920115886 一种用于硅单晶生长的坩埚
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192 200920117098 一种硅单晶棒的拼棒装置
193 200920032683 一种生长硅单晶的热装置
194 200920032684 一种硅单晶生长的热场
195 200920107968 一种硅单晶生长用勾形电磁场装置
196 200920073066 一种硅单晶炉晶棒托架
197 200920071344 一种用于加工薄型硅单晶片的行星片
198 200920107967 一种硅单晶生长用勾形电磁场的屏蔽装置
199 200920122503 带水冷夹套的直拉式硅单晶生长炉
200 200920103290 一种硅单晶切割籽晶专用夹具
201 200920186922 硅单晶棒运输冷却车装置
202 200920186924 双加热系统硅单晶生长装置
203 200820139372 用于直拉硅单晶炉热场系统
204 200920042953 硅单晶棒切片前处理夹具
205 200920042951 直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热场装置
206 200920277827 一种用于直拉硅单晶炉的尾气自净化过滤装置
207 200920046265 硅单晶棒测试样片制取装置
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3 01136769 一种提高直拉硅单晶棒中氧含量的方法及增氧器
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5 01139098 一种微量掺锗直拉硅单晶
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7 02151127 一种生长硅单晶的方法
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10 03107427 绝缘层上覆硅单晶芯片结构及其制造方法
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12 02159135 气相掺杂区熔硅单晶的生产方法
13 03109067 气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的生产方法
14 96102274 硅单晶颈部内消除位错的方法
15 96107584 用于控制硅单晶生长的系统和方法
16 85100295 直拉切氏法硅单晶的氮保护气氛
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19 86100027 绝缘衬底上混合源双面硅单晶生长
20 87105811 直拉硅单晶的气相掺氮方法
21 88100307 一种微氮低氧化碳直拉硅单晶的制备方法
22 88102558 一种中低阻直拉硅单晶的制备方法
23 89102980 制备硅单晶的方法和设备
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25 89106560 制造硅单晶的方法和设备
26 89109188 制取硅单晶的设备
27 90102476 制造硅单晶的设备
28 90103398 碳化硅单晶纤维及其制法
29 90109125 硅单晶制造装置
30 90102209 制造硅单晶设备
31 91102023 制造硅单晶的设备
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