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 ◆半导体,半导体器件

半导体,半导体器件专题技术光盘》

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[8-BG82282]  可在连接状态下进行质量流控制器检查的半导体制造装置-CN1501440 -

[英文标题]
Semiconductor manufacturing apparatus enabling inspection of mass flow controller maintaining connection thereto
[中文摘要]
在半导体制造装置工作时,控制多个阀(121~147)的开闭,使多种气体直接流入气体室(105)中,在质量流控制器(MFC2’)(102’)检查时,控制多个阀(121~147)的开闭,使气体A流入质量流计(MFM1~3)(151~153)。因而,可以在连接质量流控制器(MFM2’)(102’)状态下进行检查。
[英文摘要]
Opening and closing of a plurality of valves 121 to 147 for directly flowing in a plurality of gases to a chamber 105 when operating the semiconductor manufacturing device are controlled, and the opening and closing of the plurality of valves 121 to 147 for flowing gas A to mass flow meters (MFM 1 to MFM 3) 151 to 153 when inspecting the mass flow controller (MFC 2') 102' are controlled. Consequently the mass flow controller (MFM 2') 102' can be inspected with it connected.

[9-BG82282]  绝缘衬底上制备高质量半导体晶体薄膜的方法-CN1469458 -

[英文标题]
Method of preparing high-quality semiconductor crystal film on insulating substrate
[中文摘要]
一种在绝缘衬底上制备高质量半导体晶体薄膜的方法,特别是降低通过氧离子注入或者通过在蓝宝石上淀积硅形成绝缘衬底上的硅薄膜的缺欠密度的方法;包括利用在高温退火过程中有表面微型结构的表面晶体薄膜层中的缺欠向边界的迁移,从而降低缺欠密度。
[英文摘要]
The method of preparing high-quality semiconductor crystal film on insulating substrate, and especially the method of lowering the defect density of silicon film formed through oxygen ion implantation or silicon deposition on sapphire includes a high temperature annealing process, in which defects in the su*ce crystal film layer with su*ce miniature structure are made to migrate towards the boundary so that the defect density is lowered.

10 200510111962 半导体量子阱负有效质量器件产生太赫兹辐射的方法
11 200510110566 在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法
12 200580007121 淀积高质量微晶半导体材料的方法
13 200580022204 制备高质量化合物半导体材料的沉积技术
14 200710000755 提高SiC晶体质量的方法和SiC半导体器件
15 200710037951 半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构
16 200710104428 获得在分割衬底上制造的半导体器件的高质量边界的方法
17 200810196208 一种利用线性偏振光来检验半导体衬底晶体质量的方法
18 200780010187 使用纳米结构柔性层和HVPE制造高质量化合物半导体材料的生长方法
19 200810217535 半导体封装芯片自动质量测试的分选机
20 200910005257 用于制造高质量半导体单晶锭的装置及使用该装置的方法
21 200820213173 半导体封装芯片自动质量测试的分选机

1 96113450 在半导体衬底上制造具有高质量氧化膜的半导体器件的方法
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7 200510001726 高质量氮化物半导体薄膜及其制作方法
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