行业技术资料网
行业技术资料网 委托查询 货到付款 关于我们 客户保障 付款方式 售后服务
首页 委托查询 货到付款 关于我们 客户保障 付款方式 售后服务
本网所有资料均开通货到付款业务
当前路径:网站首页化学冶金晶体生长
>>碳化硅,晶体生长生产工艺配方技术,高温气体传感器,
>>光子晶体,晶体生产制造工艺,晶体光纤,晶体结构,复
>>激光晶体,晶体生产制造工艺,硼酸,材料硼酸,材料硼
>>钨酸铅生产制造工艺,晶体,纳米材料,纳米材料类技术
>>生长硅单晶生产制造工艺,碳化硅单晶,控制硅单晶,可
>>晶体,晶体生长生产制造工艺,坩埚,蛋白质晶体生长,
>>复合激光晶体生产制造工艺,激光晶体,钨酸,钨酸类技
>>半导体,照明灯生产工艺配方技术,二极管照明灯,灯泡
>>硼酸盐晶体相关技术研究,硼酸盐晶体,化合物硼酸,化
>>直拉单晶炉生产制造工艺,硅单晶,直拉法单晶炉,加热
>>晶体,激光晶体生产制造工艺,稀土,催化剂,光纤,陶
>>直拉生产制造工艺,硅单晶,单晶硅,汽车,胶粘剂,相
>>硅单晶,直拉硅单晶生产制造工艺,碳化硅单晶,控制硅
>>直拉单晶炉生产制造工艺,晶体,自动检测装置,光学系
>>制备铌生产制造工艺,压电陶瓷,单晶,凝胶,铌合金,
>>晶体,二氧化钛生产制造工艺,蓝宝石,钛酸锶晶体,氮
>>制造铟最新生产加工制备工艺,溅射,光电探测器,高密
>>分散尺寸可控相关技术研究,胶体,铝粉,羟基锡,羟基
>>光子晶体,晶体生产制造工艺,光纤,发光二极管,分子
>>凝固多晶硅生产制造工艺,凝固多晶硅,驱动传动机构,
温馨提示:

我们不销售任何技术名称对应的实物产品和设备,请购买实物产品和设备的朋友不要咨询.谢谢!
 ◆晶体,线圈

晶体,线圈专题技术光盘》

[打印本页] [收藏本页] [将当前页设为首页]
订购请记住光盘编号:1001-82165    光盘价格:230.00元
订购方式:
1、货到付款--点击此处填写订单
2、担保交易--
 
详细光盘目录如下:
[32-BG82165]  分子蒸馏洗涤法生产天然辣椒碱晶体的工业方法-CN1680285 -

[英文标题]
Industrial production of natural capsaicin crystal by molecular distilling and washing method
[中文摘要]
本发明涉及一种以分子蒸馏洗涤技术生产辣椒碱晶体的工业方法。辣椒果皮粉用6号溶剂油等有机溶剂浸提,所得浸提液减压深缩后,将浓缩物进行一次分子蒸馏和MgCO3、CaCO3、ZnCO3、Na2CO3、NaOH与NaCl的混合物以及MgCl2、Ca2CO3与ZnCl2的混合物净化剂洗涤分离,就可获得辣椒红色素,辣椒油树脂和辣椒碱晶体三种产品,辣椒晶体总碱含量达99%以上。本发明提供了一种辣椒深加工和综合利用的工业方法,提取分离出高纯辣椒碱晶体,高质辣椒油树脂和优质辣椒红色素。本发明生产工艺操作简便,提取率高,分离效果好,各种产品均无溶剂残留。
[英文摘要]
An industrial method for producing capsaicin crystal by molecular distilling and washing technology is carried out by leaching peel powder of pepper with No.6 solvent oil etc. organic solvent, de-pressuring and deeply compressing the leach liquor, molecular distilling for concentrate, washing and separating mixture of MgCO3, CaCO3, ZnCO3, Na2CO3, NaOH and NaCl and mixture decontaminant of MgCl2, Ca2CO3 and ZnCl2, and obtaining capsanthin coloring matter, oleoresin capsicum, and capsaicin crystal. Its advantages include * operation, high extracting rate and good separating effect.

[33-BG82165]  晶体明矾的生产方法-CN1515494 -

[英文标题]
Production method of crystal alum
[中文摘要]
本发明提供一种晶体明矾生产方法,将经过焙烧的含氧化铝的原料,置入大型耐酸容器,加入*与*氢盐(生产钾明矾时加*氢钾,生产铵明矾时加*氢铵),充分反应生成无水*铝钾或无水*铝铵,加入适量水,使其风化结晶,通入蒸汽加热溶解,将液体与固体分离,除去固体残渣,再结晶,取出晶体钾明矾或晶体铵明矾,取出晶体后的溶液再置入大型耐酸容器中回收利用。本发明可提高产量和质量,使矿渣得到处理和综合利用,有利于环境保护。
[英文摘要]
The production method of crystal alum includes the following steps: placing the roasted alumina-contained raw material into a large-type acid-resisting container, adding sulfuric acid and hydrogen sulfate (when it is used for producing potassium alum, adding potassium hydrogen sulfate and when it is used for producing ammonium alum, adding ammonium hydrogen sulfate), fully reacting to obtain anhydrous potassium aluminium sulfate or anhydrous ammonium aluminium sulfate, adding proper quantity of water to make it be crystallized, introducing steam to heat and dissolve, separating liquid and solid, removing solid residue, recrystallizing, taking crystal potassium alum or ammonium alum, the placing the residual solution into the large-type acid-resistant container for recovery and utilization.

[34-BG82165]  薄膜晶体管及其生产方法-CN1531112 -

[英文标题]
Thin-film transistor and producing method thereof
[中文摘要]
在本发明提供的TFT(薄膜晶体管)中,供氢层能够形成在使氢的扩散距离缩短且不增加光刻法的位置处。在TFT中,用于使氢扩散到存在于多晶硅薄膜和门绝缘膜界面处的悬空键中的供氢层形成在门绝缘膜和门电极之间的位置处。根据该结构,在氢化过程中,氢的扩散距离可以缩短,在不花费大量热处理时间的情况下可以充分进行氢化。
[英文摘要]
A TFT (Thin Film Transistor) is provided in which a hydrogen feeding layer is able to be formed in a position where diffusing distance of hydrogen can be made short without causing an increase in photolithography processes. In the TFT, the hydrogen feeding layer to diffuse hydrogen into a dangling bond existing at an inte*ce between a polycrystalline silicon thin film and a gate insulating film is formed in a position between the gate insulating film and a gate electrode. According to this configuration, diffusing distance of hydrogen at a period of time during hydrogenation can be made short and the hydrogenation process can be sufficiently performed without taking time in heat treatment.

[35-BG82165]  生产具有优异处理性质的还原型辅酶Q10晶体的方法-CN1527806 -

[英文标题]
Method of producing reduced coenzyme Q10 crystals with excellent handling properties
[中文摘要]
本发明提供适合于商业规模生产的生产还原型辅酶Q10晶体的方法。按照本发明生产还原型辅酶Q10晶体的方法,可以得到浆液性质和结晶性质优异的还原型辅酶Q10晶体,该方法包含还原型辅酶Q10在醇和/或酮溶液中的结晶。而且,可以缩短和简化包括晶体分离的分离过程或包括该分离过程的全部过程。因而,可以以较高收率得到高纯度还原型辅酶Q10
[英文摘要]
The present invention provides a method of producing reduced coenzyme Q10 crystals suitable for commercial scale production thereof. According to a method of the present invention of producing a reduced coenzyme Q10 crystal which comprises a crystallization of reduced coenzyme Q10 in a solution of alcohols and/or ketones, reduced coenzyme Q10 crystal excellent in slurry properties and crystalline properties maybe obtained. Moreover, an isolation process including a crystal separation or the whole process including the isolation process maybe minimized and simplified. Thus, highly pure reduced coenzyme Q10 may be obtained in a high yield.

[36-BG82165]  从干辣椒生产辣椒素晶体的方法-CN1467201 -

[英文标题]
Method for producing capsaicine crystal from dried hot pepper
[中文摘要]
本发明是从干辣椒生产辣椒素晶体的方法,它是用一种非极性溶剂和一种极性溶剂作为萃取和反萃取剂、用酸、碱的方法溶解、调酸、分离、结晶;其步骤为:(1)干辣椒粉用极性溶剂浸泡萃取5~10小时;(2)过滤出浸泡萃取液加水;(3)用非极性溶剂反萃取、分离,非极性层回收溶剂;(4)极性层回收溶剂、用碱液溶解浸泡萃取液,用酸调至pH=7~9、静置结晶、经过滤、烘干得辣椒素晶体。本发明工艺简单易行、操作简便、成本低廉,制得的产品质量完全符合美国药典规定。
[英文摘要]
A process for extracting the capsaicin from dried hot pepper includes such steps as immersing the dried hot pepper power in polar solution for 5-10 hr, adding water, back extracting in non-polar solution, separating, recovering non-polar solution, recovering polar solution, dissolving in alkali solution, using acid to regulate its pH to 7-9, crystallizing, and baking. Its advantages are * process, high quality of filtering product and low cost.

[37-BG82165]  β型晶体无水氨曲南的生产方法-CN1545514 -

[英文标题]
Production method for beta type crystal anhydrous ammonia leaven
[中文摘要]
本发明描述了一种无水β型(Z)-2-[[[(2-氨基-4噻唑)[[顺-(2S,3S)-2-甲基-4-氧代-1-硫代-3-氮杂环丁烷基]氨基甲酰]亚甲基]氨基]氧代]-2-甲基丙酸(也被称为氨曲南)的生产流程。
[英文摘要]
A process is described for producing anhydrous beta -form of ((Z)-2-[[[(2-amino-4-thiazolyl)[[trans-(2S,3S)-2-methyl-4-oxo-1-sulfo-3-azetidinyl]carbamoyl]methylene]amino]oxy]-2-methylpropionic acid (also known as Aztreonam).

[38-BG82165]  用工业级氢氧化锂和硼酸生产高纯高清四硼酸锂晶体技术-CN1818149 -

[英文标题]
Production of high-purity lithium tetraborate crystal by industrial lithium hydroxide and boric acid
[中文摘要]
本发明公开了一种用工业级氢氧化锂和硼酸生产高纯高清四硼酸锂晶体技术,属高纯四硼酸锂的生产技术领域。方法是分别将氢氧化锂和硼酸提纯至99.99%以上,然后在反应槽内制成饱和水溶液,常压下加热至沸反应2~2.5小时,冷却后进行液固分离,将固体进行脱水干燥即得;其中工业级氢氧化锂的提纯采用低温溶解、快速过滤、酸化提纯、重结晶工艺;工业级硼酸的提纯采用重结晶、吸附法。本发明的方法具有工艺简单,流程短,成本低廉,无污染,产出率高的优点,产品的技术质量指标全面达到国际先进水平。
[英文摘要]
The invention opened a production technology of the lithium tetraborate crystal by the industrial grade lithium hydrate and the boracic acid. The process is to purify the lithium hydrate and the boracic acid to 99.99%, then to prepare the saturated solution and heat it to ebullience for 2-2.5h, next to separate the solid from the liquid after cooling down. The purification process of the lithium hydrate is microtherm solve, filtering fastly, purification by the acidification, recrystallization; and the boracic acid is recrystallization, adsorption method. The process is *, cheap and high yield.

[39-BG82165]  Ⅲ-V族晶体及其生产方法-CN1697895 -

[英文标题]
III-v compound semiconductor crystal and method for production thereof
[中文摘要]
一种可以采用各种各样的基质生产出没有裂纹的高质量III-V族晶体的方法,该方法成本低而且容易简单。一种生产III-V族晶体的方法,其特征在于包括:在基质上(1)沉积金属膜(2)的步骤;在含有形成图案的化合物的气氛下热处理金属膜(2)的步骤;以及在热处理后的金属膜上生长III-V族晶体(4)的步骤。另外一种生产III-V族晶体的方法,其特征在于包括:在热处理后的金属膜上生长III-V族化合物缓冲膜的步骤;在III-V族化合物缓冲膜上生长III-V族晶体的步骤。
[英文摘要]
A method of manufacturing a group III-V crystal is made available by which good-quality group III-V crystals are easily obtained at low cost without causing cracks, even when using a variety of substrates. A method of manufacturing a group III-V crystal, characterized in including: a step of depositing a metal film (2) on a substrate (1); a step of heat-treating the metal film (2) in an atmosphere in which a patterning compound is present; and a step of growing a group III-V crystal (4) on the metal film after the heat treatment. Additionally, a method of manufacturing a group III-V crystal, characterized in including: a step of growing a group III-V compound buffer film on the metal film after the heat treatment; and a step of growing a group III-V crystal on the group III-V compound buffer film.

[40-BG82165]  晶体球化石墨的生产制备工艺-CN1699479 -

[英文标题]
Process for preparing crystal nodulizing graphite
[中文摘要]
本发明属于石墨的加工技术领域。提出的晶体球化石墨的生产制备工艺,把天然鳞片石墨粉碎在球化机对石墨外形进行球形化处理,再经筛分筛选出5~100μm的球化石墨。本发明由于对天然鳞片石墨的结构和外形进行处理,提高了TAP值,并且改善其粒度分布值和BET值,使其给合紧密,运用SEM、MS-2000光谱学仪器进行检测,并进行电化学试验分析,完全可替代人造石墨,用于锂离子电池负极材料。其直接使用-100目到+20目天然鳞片石墨,经过粉碎,表面修饰,筛分等工序,制备出5~100μm的球化石墨,并且一次可得到2~3种规格的产品,经过提纯后(另案申请专利),固定碳达到99.98%,避免了杂质元素对充放电效率的影响。
[英文摘要]
The invention provides a process for preparing crystal nodulizing graphite which comprises comminuting natural crystaline flake graphite, carrying out conglobation treatment to the graphite contour with balling machines, screening 5-100um globurized graphite through sifting. The beneficial results of the invention include increased TAP value, improved size distribution value and BET value, thus the graphite can fully substitute artificial graphite as negative electrode material for lithium ion cells.

[41-BG82165]  一种用离子交换树脂法生产高纯辣椒素晶体的方法-CN1711908 -

[英文标题]
Production of high-purity capsaicin crystal by ion exchange resin method
[中文摘要]
本发明涉及一种用离子交换树脂法生产高纯辣椒素晶体的方法。本发明的目的是要提供一种用离子交换树脂法生产辣椒碱类化合物晶体的方法,克服现有技术存在的工艺路线长、工业化程度不高、投资成本高和提取率低的缺点。技术解决方案是:原料为制备辣椒色素后所得的辣树脂或市售的辣椒精,包括下述步骤,(一)萃取:首先用非极性溶剂作为萃取剂萃取,然后将非极性溶剂的萃取液用极性溶剂作为萃取剂进行萃取,所得极性溶剂的萃取液备用;(二)调整pH值;(三)树脂柱交换吸附;(四)结晶:洗脱液在60℃以下减压蒸馏除去有机溶剂,经洗涤冷却结晶可得辣椒素晶体。
[英文摘要]
A process for preparing high-purity capsaicin crystal by ion exchange resin method includes such steps as providing the hot resin generated by extracting capic pigment or the hot pepper extract, extracting in non-polar solvent, extracting in polar solvent, regulating pH value, exchange adsorbing by resin column, eluting, vacuum distilling for removing organic solvent, washing, and cooling while crystallizing.

42 200480001540 用于生产双极晶体管的方法
43 200410089527 藻红蛋白、晶体生产工艺及制品
44 200410089528 别藻蓝蛋白、晶体生产工艺及制品
45 200410089529 荧光藻蓝蛋白、晶体的生产工艺及制品
46 200510130901 晶体震荡器陶瓷外壳盖板生产工艺
47 200480012795 苯并咪唑衍生物的晶体及其生产方法
48 200610043896 生产丙烯酰胺晶体的方法
49 200610087651 10晶体的方法&C07C43232006.01Ia01 生产具有优异处理性质的还原型辅酶Q10晶体的方法
50 200510043607 水热法生产大尺寸人造光学石英晶体的方法
51 200610052849 生产大直径TbDyFe基合金定向凝固晶体的方法
52 200610125840 生产立方氧化锆单晶体的新方法
53 200580006295 增强铈搀杂正硅酸镥晶体性能的方法及通过该方法生产的晶体
54 200580006294 增强铈搀杂正硅酸钇镥晶体性能的方法及通过该方法生产的晶体
55 200580010518 *晶体、**剂和生产方法
56 200610137998 半导体晶体的生产方法
57 200380110922 具有改善流动性的富含甘氨酸的氯化钠晶体的生产方法
58 200610070642 用离心、脱水、干燥一体机生产丙烯酰胺晶体的方法
59 200580031235 使用薄膜晶体管生产技术制造反射显示装置的方法
60 200610038462 一种晶体元器件的生产方法
61 200710051314 高纯镁橄榄石晶体材料的工业化生产方法
62 200710056853 以氯化亚铁晶体为原料生产固体聚合氯化铁的方法
63 200710057470 从辣椒精生产辣椒碱晶体的工艺方法
64 200710102802 III-V族晶体及其生产方法
65 200710077301 一种SMD晶体谐振器用陶瓷封装件及其生产工艺
66 200810104712 一种苏云金芽孢杆菌伴孢晶体反浮选分离纯化生产工艺
67 200810068736 一种高纯正磷酸晶体的生产方法
68 200680037146 氧化锌晶体,它的生长方法和发光器件的生产方法
69 200810063556 一种硅晶体的生产方法
70 200810022830 无籽晶声表面波石英晶体的生产方法
71 200810029525 直接用*铝制取超细晶体α-氧化铝的生产工艺
72 200810147147 以软锰矿和废酸为原料生产一水合*锰晶体的方法
73 200680049030 用作药剂的异质晶体矿物的纳米颗粒及其生产方法
74 200810224258 一种丙烯酰胺晶体的生产方法
75 200810121431 晶体硅太阳能电池钝化与*极PN结生产工艺
76 200710156573 由万寿菊花瓣制备得到高纯度的叶黄素晶体及其生产方法
77 200810182000 可同时生产两根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构
78 200810182052 可同时生产七根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构
79 200810182053 可同时生产八根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构
80 200810182054 可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构
81 200810182055 可同时生产五根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构
82 200810182056 可同时生产三根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构
83 200810182057 可同时生产两根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构
84 200810182058 可同时生产三根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构
85 200780024915 生产有机场效应晶体管的方法
86 200810238345 一种生产晶体麦芽糖醇的方法
87 200810181998 可同时生产六根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构
88 200810181999 可同时生产四根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构
89 200910042410 硅灰石针状纤维晶体-纳米碳酸钙微纳米复合粉体材料及生产方法
90 200780036421 大晶体产品的连续生产方法
91 200780036545 用于生产晶体硅基板的方法和设备
92 200810089244 晶体连续生产设备及使用该设备连续生产多晶硅的方法
93 200910064643 压电晶体精微加工用高纯度α-三氧化二铝、炭化硅微米、纳米级粉体材料的生产方法
94 200910102526 用磷酸酐浓缩稀磷酸生产晶体磷酸的方法
95 200680056690 生产超纯金属以及由其制造的单晶体的方法
96 200910102726 一种半水晶体磷酸的生产方法
97 200880013133 由具有一维光子晶体性质的纳米颗粒薄层形成的多层结构、其生产方法及其应用
98 200910170671 有机场效应晶体管及其生产方法
99 200910245151 一种生产异麦芽酮糖醇晶体的方法
100 200910218584 一种用于晶体化玻璃切割的金刚石超薄切片配方及生产工艺
101 201010147972 硅酸镓镧晶体元件的生产方法
102 200910245150 一种生产异麦芽酮糖醇晶体的工艺方法
103 201019026064 以岩盐为原料生产氯化氢与*氢钠晶体的方法
104 200910008844 利用26酸生产工业废水生产*钾结晶体的制备工艺
105 200910156619 高纯度二甲基二氯化锡结晶体的生产方法
106 201010141293 一种晶体硅太阳电池工业化生产工艺
107 201010207255 一种晶体L-乳酸的生产设备及利用所述生产设备生产晶体L-乳酸的方法
108 200520034196 提炼高纯金属的单晶体生产装置
109 200620031584 一次可生产多根硅芯及其它晶体材料的高频线圈
110 200620031583 一次可生产两根硅芯及其它晶体材料的双目高频线圈
111 200720089217 一种一次可生产五根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
112 200720089218 一种一次可生产七根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
113 200720089215 一种一次可生产六根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
114 200720089219 一种一次可生产三根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
115 200720089220 可同时生产三根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
116 200720089221 一种一次可生产四根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
117 200720089224 一种可同时生产两根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
118 200720089457 一种可同时生产两根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
119 200720089458 一种一次可生产三根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
120 200720089459 一种一次可生产六根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
121 200720089460 一种一次可生产七根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
122 200720089461 一种一次可生产三根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
123 200720089462 一种一次可生产四根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
124 200720089463 一种一次可生产五根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
125 200720089464 一种一次可生产多根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
126 200820038704 炭基高价银分子晶体电池生产设备
127 200920059662 数字温补晶体振荡器自动生产管理系统
128 200920193708 激光封焊的石英晶体器件及其生产设备

1 01806924 生产高纯度三聚氰胺晶体的方法
2 01807341 稠合咪唑并吡啶衍生物的新生产方法和新晶体形式
3 01128223 一种废次菱镁矿石生产高纯氧化镁单晶体的方法
4 86104600 片状氧化锆型细粒晶体及其生产方法
5 88105753 用机械合金法生产新型导磁材料-类晶体硅钢粉及其应用
6 88107844 减少磷酸镓压电晶体单元含水量的方法、装置及按此方法生产的晶体单元
7 89106185 粘结的和粘结的烧结的高强度磨料多晶体及其生产方法
8 91110868 绞股蓝*、晶体和酒的生产方法
9 94112537 石墨碳化晶体状模及生产方法
10 97117898 磷酸赖氨酸镁复合盐集合晶体及其生产方法
11 96196772 用来生产三维光学晶体的工艺
12 97197516 生产D-山梨醇晶体的方法
13 97199098 头孢地托伦新戊酰氧甲酯晶体及其生产方法
14 99122621 人工晶体合成云母及其生产方法与应用
15 98803328 人工晶体的生产方法
16 00132046 用辣椒油树脂生产晶体状辣椒碱类化合物的方法
17 00102750 清洁生产铬酸铵晶体的方法
18 99812687 生产晶体管的方法
19 00110457 防硫化晶体电介质及其生产方法
20 01144478 一种人造晶体生产的新加热方法
21 01800927 i-x-Gex门极MOS晶体管的集成CMOS电路的半导体装置及其生产方法&H01L218238a01 具有硅-锗Sii-x-Gex门极MOS晶体管的集成C......
22 200610105206 光子晶体光纤激光组束激光器及其生产方法
23 200710191981 微波功率晶体管动态*极镇流电阻结构及生产方法
24 200810018900 层压一体式晶体硅太阳能光电装置及其生产方法
25 200810020778 大屏幕薄膜晶体管模组减薄液及其生产方法
26 95204101 一种石英晶体生产中用的籽晶固定架
27 200410088155 光子晶体光纤和光子晶体光纤的生产方法
28 03808316 甲基丙烯酸晶体以及生产和提纯含水甲基丙烯酸的方法
29 03811988 生产多晶型物质的特定晶体变体的方法
30 03812160 通过使用高强度超声波生产晶体物质的方法
31 200510004041 生产III族氮化物晶体的方法
以上正是我所需要的技术,点击此处订购
[打印本页] [收藏本页] [将当前页设为首页]
搜索关键字