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 ◆晶体生长,蛋白质晶体生长

晶体生长,蛋白质晶体生长类技术光盘》

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详细光盘目录如下:
[32-BG175820]  一种用于晶体生长的加热方法及其装置

[技术摘要]本发明是一种用于晶体生长的加热方法及装置。为克服现有技术中温度场不均匀,加热效率低,不宜控制加热速度和温度场精度的不足之处,本发明将加热炉的内表面制成椭圆柱镜面,将被加热体置于共焦点轴上,加热电极置于其它焦点轴上,使多个加热电极同时对一个被加热体加热;反之,亦可使一个加热电极对多个被加热体加热。本发明可获得均匀的温度场,方便地控制材料的温度分布,并具有加热效率高,使用安全、方便的特点。

[33-BG175820]  晶体生长设备及晶体生长方法

[技术摘要]晶体生长设备,包括一个装有供晶体从其中生长的熔融材料的坩埚,和接收沿入射光路直射的光束并将其反射到第二个反射装置的第一个反射装置,借此第二个反射装置沿射出光路反射射出光束。第一和第二个反射装置配置在熔融材料的表面或靠近表面处,使在晶体生长过程中,它们相对熔融材料表面的位置基本上保持不变。该设备可以包括支承第一和第二个反射装置的支承装置,所置配的支承装置浮在熔融的材料上。该设备可以是单坩埚设备或双坩埚设备。在双坩埚设备中,支承装置可以是装有熔融材料的第二个内坩埚,它与第一个坩埚中的熔融材料是流体相通的,内坩埚浮在第一个坩埚中的熔融材料上,第一和第二个反射装置支承在内坩埚上。该设备还可包括图象处理装置,用于形成晶体或生长界面区的任何部位的图象,并在生长过程中测定晶体的直径或弯液面的直径。该设备还可包括根据测定的晶体或弯液面区的直径,控制晶体生长的装置。本发明还涉及用于生长晶体和晶体生长方法中使用的坩埚。

[34-BG175820]  稳定树枝状网膜晶体生长的方法和系统

[技术摘要]说明了用于树枝状网膜生长的方法。此方法包括装载熔融物;从熔融物生长树枝状网膜晶体;在生长树枝状网膜晶体的步骤期间,补充熔融物;和在生长树枝状网膜晶体的步骤期间,对熔融物施加磁场。还说明了稳定树枝状网膜生长用的装置。该装置包括坩埚,此坩埚包含用于接收晶片以便于熔融物补充的供应室和用于保存树枝状网膜生长用的熔融物的生长室。该装置还包括磁场发生器,它设计成在树枝状网膜生长期间提供磁场。

[35-BG175820]  供晶体生长装置内电阻加热器用的电极装配

[技术摘要]一种供安装在按切氏法生长单晶硅棒的拉晶机的外壳内的电阻加热器使用的电极装配,包括一个同外壳内的加热器电连接的第一端与一个外端的电极。此电极延伸通过拉晶机外壳使电极的外端通常在外壳的外面。外壳内的电极部分沿所述部分的全长通常为实心截面而无任何内冷却通道。一个同延伸至外壳外边的部分电极电连接的用于从一个电流源向电极供给电流使沿电极向内给位于外壳内的加热器传送电流的导电体。此导电体还同电极的外面部分导热接合并有一个贯穿延伸的内通道,用来接收导电体内用于从电极的外面部分引出热的冷却介质。

[36-BG175820]  控制硅晶体生长的方法和系统

[技术摘要]一种用于在丘克拉斯基晶体生长装置中测定熔化水平高度和反射罩位置的一种方法和系统。晶体生长装置有一个加热坩埚,里面盛有硅熔体,从这里硅晶体被提拉出来。晶体生长装置同样含有一个中心开孔的反射罩,晶体从此开孔里提拉出来。摄象机产生反射罩一部分图象和在熔体上层表面能看见的一部分反射罩的映象。图象处理系统用它们象素值的一个函数处理这些图象,以便探测反射罩的边缘和图象中的映象的边缘。根据图象中已探测到的边缘的相应位置,控制电路测定摄象机到反射罩的距离和摄象机到映象的距离。在已测定的距离的基础上,控制电路至少测定一种代表晶体生长装置状态的一个参数,并且控制该装置对所测定的参数做出反应。

[37-BG175820]  用于晶体生长装置的电阻加热器

[技术摘要]本发明的电阻加热器,供在按照直拉法生长单晶硅锭的拉晶机中使用,该电阻加热器包括一个加热元件,此加热元件加工成一定尺寸和形状,用于设置在拉晶机的外罩中围绕坩埚,用于将热量加到坩埚和其中的硅上。加热元件包括若干加热分段,它们在电路中连接在一起。各分段具有上面部分和下面部分并彼此相对地配置,以便当围绕装熔化硅的坩埚设置时,上面部分一般是设置在包括熔化的硅表面的一个水平面上方,而下面部分一般是设置在该水平面的下方。将上面部分制成比下面部分产生更多的发热能力,以便由此来减少在其表面处熔化的硅和刚好在熔化的硅表面上方晶锭之间的温度梯度。上面部分具有一与下面部分基本上相等的厚度,并具有一显著小于下面部分的宽度。上面部分的截面积各处都小于下面部分的截面积。

[38-BG175820]  用于晶体生长装置的电阻加热器及其使用方法

[技术摘要]一种电阻加热器,供在按照直拉法生长单晶硅锭的拉晶设备中使用,该电阻加热器包括一个加热元件,该加热元件加工成一定尺寸和形状,以便设置在一般在坩埚之上的拉晶设备的外壳中,并与生长晶锭的外表面的成隔开关系使得在晶锭在所述外壳中相对于熔融硅向上提拉时,向晶锭辐射热量。加热元件具有上端和下端,当加热元件放在所述外壳中时,加热元件的下端大体比上端更接近熔融硅,加热元件的结构使得由加热元件产生的加热功率输出从加热元件的下端到上端逐渐增大。

[39-BG175820]  在晶体生长过程中使用的硅熔体的锶掺杂

[技术摘要]公开了一种在单晶硅生长工艺中使用的锶掺杂硅熔体的制备方法。多晶硅和锶在二氧化硅坩埚中熔化。在熔化以及晶体生长的过程中,锶起失透促进剂的作用并且在与熔体接触的坩埚内表面上产生失透二氧化硅层,从而降低了在熔体以及生长的晶体中的污染物水平。

[40-BG175820]  在晶体生长过程中使用的硅熔体的钡掺杂

[技术摘要]公开了一种在单晶硅生长过程中使用的掺杂硅熔体的制备方法。多晶硅用钡掺杂并且在含有低于约0.5%的不溶于硅的气体的二氧化硅坩埚中熔化。在熔化以及晶体生长的整个过程中,钡起失透促进剂的作用并且在与熔体接触的坩埚内表面上产生失透二氧化硅层,从而降低了在熔体以及生长的晶体中的污染物量。

[41-BG175820]  在半导体晶体生长工艺中控制锥体生长的方法与系统

[技术摘要]根据锥体斜率控制半导体单晶锥体部分生长的方法与系统。晶体驱动单元按照目标提拉速率使生长的晶体从熔体拉出,其目标提拉速率基本上遵从生长锥体的起始速度分布。控制器计算作为晶体直径对于晶体长度变化而改变的函数的目标斜率的测量值。然后控制器产生作为锥体斜率测量值与目标锥体斜率之差的函数的误差信号,从而对晶体驱动单元提供作为误差信号函数的提拉速率修正值。接下来,晶体驱动单元根据提拉速率修正值来调节提拉速率,以减小锥体斜率测量值与目标锥体斜率之差。目标锥体斜率被定义为一函数,它包含一个通常的指数部分和一个通常的线性部分。

42-BG175820 晶体生长和退火方法以及装置

43-BG175820 碳化硅晶体生长的方法和装置

44-BG175820 在晶体生长过程中具有熔体掺杂功能的晶体生长装置

45-BG175820 蓝宝石晶体生长方法

46-BG175820 集成式可编程晶体生长控制系统
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47-BG175820 碳化硅晶体生长的方法和装置

48-BG175820 用于光学显微镜观察蛋白质晶体生长的样品池

49-BG175820 一种晶体生长方法及其设备

50-BG175820 用于晶体生长工艺中的籽晶方位的控制装置

51-BG175820 一种双控温晶体生长炉

52-BG175820 一种晶体生长用热场装置
0

53-BG175820 溶液法晶体生长的磁力搅拌装置
7

54-BG175820 四槽循环流动晶体生长装置
5

55-BG175820 适用于半导体晶体生长的双温加热炉
5

56-BG175820 *快速晶体生长速度测定仪
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57-BG175820 空间蛋白质晶体生长用汽相扩散法结晶室
2

58-BG175820 空间蛋白质晶体生长用液面扩散法结晶室
8

59-BG175820 一种鼠笼式Y棒石英晶体生长架
5

60-BG175820 空间晶体生长炉用模型晶体
2

61-BG175820 空间蛋白质晶体生长用液液扩散法结晶室
6

62-BG175820 空间蛋白质晶体生长用结晶室
6

63-BG175820 一种薄膜晶体生长装置
2

64-BG175820 空间蛋白质晶体生长用结晶室
6

65-BG175820 一种高安全可靠的晶体生长安瓿
66-BG175820 晶体生长过程实时显示诊断装置
67-BG175820 蛋白质晶体生长用液液扩散法结晶室
68-BG175820 等效微重力晶体生长用径向辐射式磁场可调的永磁装置
69-BG175820 空间低温溶液法晶体生长结晶器
70-BG175820 一种空间晶体生长炉
71-BG175820 蛋白质晶体生长用可调式汽相扩散法结晶室
72-BG175820 晶体生长炉
73-BG175820 方便组装的多功能真空晶体生长装置
74-BG175820 动态光散射用蛋白质晶体生长样品池
75-BG175820 用于晶体生长的多温区发热体
76-BG175820 集成式可编程晶体生长控制装置
77-BG175820 一种纯静态双加热温梯法晶体生长装置
78-BG175820 高温熔体中晶体生长的沿易轴取向的织构控制方法
79-BG175820 一种用于近化学计量比铌酸锂晶体生长的悬挂坩埚及生长方法
80-BG175820 化合物半导体单晶体生长用容器以及使用其的化合物半导体单晶体的制造方法
81-BG175820 晶体生长工艺中的籽晶方位的控制方法及其专用夹具
82-BG175820 空间水溶液晶体生长原位实时观察装置
83-BG175820 边缘限定硅膜生长工艺的晶体生长设备与方法
84-BG175820 一种碳化硅晶体生长装置
85-BG175820 以单质粉末为脱氧剂的掺铊碘化铯晶体生长技术
86-BG175820 化合物半导体单晶的制造方法和晶体生长装置
87-BG175820 一种硅烷化云母基底及其在蛋白质晶体生长中的应用
88-BG175820 提高水热法生长ZnO晶体生长效率和质量的方法
89-BG175820 一种高温晶体生长装置
90-BG175820 一种蛋白质晶体生长方法
91-BG175820 用于晶体生长的高压装置
92-BG175820 磷酸二氘钾晶体生长溶液的高温处理新工艺
93-BG175820 克服晶体生长中熔体老化的工艺方法及设备
94-BG175820 直拉式晶体生长炉自动控制方法及系统
95-BG175820 用于完整膜蛋白晶体生长的形成分形的烷基乙烯酮二聚物
96-BG175820 精密垂直温差梯度冷凝单晶体生长装置及方法
97-BG175820 晶体生长原料处理方法
98-BG175820 具有观察及排气装置的钨酸铅晶体生长炉
99-BG175820 八棱丝瓜蛋白1的快速分离纯化及其晶体生长技术
100-BG175820 晶体生长的石英坩埚镀碳膜方法与装置
101-BG175820 场效应晶体管、半导体器件、其制造方法和半导体晶体生长方法
102-BG175820 一种晶体生长的装置及方法
103-BG175820 硅晶体生长炉用高纯固化炭毡制造方法
104-BG175820 温梯法旋转多坩埚晶体生长系统
105-BG175820 多坩埚温梯法晶体生长系统
106-BG175820 晶体生长坩埚
107-BG175820 采用裸云母作为蛋白质晶体生长基底的方法
108-BG175820 钽酸盐的提拉法晶体生长方法
109-BG175820 一种α型六水合硫酸镍间歇结晶过程晶体生长方法
110-BG175820 旋转多坩埚下降法晶体生长系统
111-BG175820 人工晶体生长用晶体旋转机构
112-BG175820 硅衬底上以三族氮化物为主材的半导体晶体生长方法及器件
113-BG175820 晶体生长籽晶固定装置
114-BG175820 一种气相晶体生长压力自动控制系统
115-BG175820 人工晶体生长用晶体旋转机构
116-BG175820 晶体生长过程中的液态硅的电磁抽吸
117-BG175820 一种用曲面籽晶进行物理气相输运的晶体生长的方法
118-BG175820 一种改进的适用于BaY2F8单晶体生长的温度梯度法及其装......
119-BG175820 人工晶体生长用晶体旋转机构
120-BG175820 人工晶体生长用导流筒升降机构
121-BG175820 回旋式连续供料的晶体生长方法及其装置
122-BG175820 晶体生长的系统和方法
123-BG175820 钆钇钪镓石榴石晶体GYSGG及其熔体法晶体生长方法
124-BG175820 高温晶体生长装置
125-BG175820 一种直拉晶体生长炉热系统的拆装装置
126-BG175820 倒锥形凸底式晶体生长装置
127-BG175820 光学级单面长石英晶体生长工艺
128-BG175820 一种适于制作PPKTP器件的KTP晶体生长方法
129-BG175820 多元化合物*晶体生长装置
130-BG175820 多元化合物*晶体生长方法
131-BG175820 一种大尺寸高熔点晶体生长的加热装置及其制作方法
132-BG175820 一种大尺寸高熔点晶体生长用的筒形隔热屏
133-BG175820 氮化镓晶体生长方法、氮化镓晶体衬底、外延晶片制造方法和外延晶片
134-BG175820 提拉法晶体生长的控制方法
135-BG175820 一种CdZnTe晶体生长用石英安瓿内壁镀覆碳膜的方法及其装置
136-BG175820 振动场下晶体生长装置和生长方法
137-BG175820 用于考察附加外场对配合物小晶体生长影响的实验装置
138-BG175820 显微实时直观式溶液法晶体生长装置
139-BG175820 半导体晶体生长方法、半导体晶体基板及其制造方法
140-BG175820 半导体晶体生长方法、半导体晶体基板及其制造方法
141-BG175820 掺杂铌酸盐、钽酸盐及其混晶发光材料及其熔体法晶体生长方法
142-BG175820 掺杂钆钇钪镓石榴石、钆钇钪镓铝石榴石及其熔体法晶体生长方法
143-BG175820 AlN晶体衬底的制造方法、AlN晶体生长方法和AlN晶体衬底
144-BG175820 一种考察超声波场对配合物小晶体生长影响的实验装置
145-BG175820 一种控制溶液晶体生长速率的方法
146-BG175820 一种稀土铁氧体磁光晶体生长方法
147-BG175820 场效应晶体管、半导体器件和半导体晶体生长方法
148-BG175820 晶体生长用反应器
149-BG175820 晶体生长装置及方法
150-BG175820 一种晶体生长表面微结构的实时观测方法
151-BG175820 提拉法晶体生长的等径控制方法
152-BG175820 硼酸钆锂晶体的晶体生长方法
153-BG175820 一种在晶体生长过程中控制掺镓直拉硅电阻率的方法
154-BG175820 一种硒化锌单晶体生长方法及其生长容器
155-BG175820 Sm掺杂钙镁锆钆镓石榴石及其熔体法晶体生长方法
156-BG175820 一种非中心对称结构稀土硫化物的晶体生长方法
157-BG175820 引晶的氮化铝晶体生长中的缺陷减少
158-BG175820 双向气流的硅晶体生长装置
159-BG175820 一种CZ硅晶体生长炉碳-碳复合材料导流筒及其制备方法
160-BG175820 一种晶体生长提拉装置
161-BG175820 锗晶体生长的方法和装置
162-BG175820 模块化设计多用途晶体生长系统
163-BG175820 一种用于调节晶体生长炉中坩埚内径向温度梯度的装置
164-BG175820 提拉法晶体生长自动控制装置
165-BG175820 一种晶体生长用TlBr粉体的溶液合成方法
166-BG175820 一种吨级晶体生长槽磷酸二氢钾饱和溶液亚稳区宽度测量方法
167-BG175820 一种大直径硅晶体生长装置
168-BG175820 用于原子力显微镜的生长蛋白质晶体生长样品池
169-BG175820 双加热温梯法晶体生长装置
170-BG175820 向炉室做无动密封传动的晶体生长炉部件
171-BG175820 可自行除去挥发物的真空晶体生长炉观察窗
172-BG175820 一种可实时观察晶体生长状况的晶体生长炉
173-BG175820 晶体生长炉的过渡室部件
174-BG175820 晶体生长炉的插板阀部件
175-BG175820 基于温度预测补偿的直拉式晶体生长炉
176-BG175820 用于装环形磁圈晶体生长炉的侧取光部件
177-BG175820 晶体生长炉的上传动钢缆夹持器部件
178-BG175820 一种程控晶体生长装置
179-BG175820 晶体生长的石英坩埚镀碳膜装置
180-BG175820 晶体生长原料处理系统
181-BG175820 晶体生长系统中的可旋转多坩埚支撑装置
182-BG175820 温梯法旋转坩埚晶体生长系统
183-BG175820 一种加工晶体生长所使用籽晶的装置
184-BG175820 温梯法晶体生长系统
185-BG175820 多坩埚下降法晶体生长系统
186-BG175820 十二相可控大功率晶体生长设备加热电源电路
187-BG175820 多晶硅定向凝固下拉晶体生长的重心驱动传动机构
188-BG175820 晶体生长籽晶固定装置
189-BG175820 一种用于蛋白质晶体生长的旋转圆盘装置
190-BG175820 砷化镓晶体生长用热场装置
191-BG175820 一种直拉晶体生长炉的拆装机构
192-BG175820 电阻加热钼坩埚提拉法激光晶体生长装置
193-BG175820 多元化合物*晶体生长装置
194-BG175820 一种提高单晶硅炉晶体生长速度的装置
195-BG175820 硅晶体生长设备的尾气导走装置
196-BG175820 感应加热铱坩埚提拉法激光晶体生长装置
197-BG175820 小晶体生长条件筛查装置
198-BG175820 显微实时直观式溶液法晶体生长装置
199-BG175820 晶体生长炉具有全行程动平衡的提拉头部件
200-BG175820 晶体生长炉连续加料器
201-BG175820 一种带定值气压释放安全阀的晶体生长炉
202-BG175820 一种晶体生长设备用旋转隔离阀
203-BG175820 一种新型晶体生长炉
204-BG175820 CGC单晶硅晶体生长控制器
205-BG175820 晶体生长炉
206-BG175820 双向气流的硅晶体生长装置
207-BG175820 微米级颗粒流态化性能和晶体生长速度的测量装置
208-BG175820 一种装备轴向静磁场的真空晶体生长设备
209-BG175820 垂直梯度凝固晶体生长炉中两段式侧加热器

1-BG175820 遥控晶体生长装置及其控制方法

2-BG175820 用于控制硅晶体生长使生长速率和直径的偏差减至最小的方法

3-BG175820 用于将砷掺杂剂加入硅晶体生长工艺中的方法和装置

4-BG175820 人工晶体生长连续加料装置

5-BG175820 一种晶体生长的坩埚安置法
:

6-BG175820 自倍频光学超晶格LNLT晶体生长及相关器件

7-BG175820 晶体生长的改进

8-BG175820 恰克拉斯基法硅晶体生长系统的快速冷却

9-BG175820 成型单晶体生长设备

10-BG175820 制备选择晶体生长基片的方法,选择晶体生长方法和利用该方法制备太阳电池的方法

11-BG175820 用于晶体生长的碳化硅表面的制备方法
0

12-BG175820 控制晶体生长装置的系统及其熔化物再补给系统
7

13-BG175820 晶体生长调节剂
5

14-BG175820 磷酸二氢钾型晶体生长原料的电化学提纯方法及设备
5

15-BG175820 晶体生长方法及用该晶体生长方法制备的半导体器件
:

16-BG175820 金属有机化合物气相沉积薄膜晶体生长装置
2

17-BG175820 制造半导体器件的方法及晶体生长促进剂
8

18-BG175820 与控制硅晶体生长的系统一起使用的无失真摄像机
5

19-BG175820 实时测定晶体生长固液界面和边界层结构的方法
2

20-BG175820 外加磁场的丘克拉斯基晶体生长系统
6

21-BG175820 新型四方锥配合物非线性光学材料和晶体生长
6

22-BG175820 控制硅晶体生长的方法和系统
2

23-BG175820 晶体生长工艺和半导体器件及其制造方法
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24-BG175820 一种升华法晶体生长安瓶的封装方法
25-BG175820 一种植物血球凝集素简便分离纯化技术及其晶体生长
26-BG175820 晶体生长
27-BG175820 具有熔体掺杂功能的晶体生长装置
28-BG175820 晶体生长容器及晶体生长方法
29-BG175820 控制半导体晶体生长的开环方法和系统
30-BG175820 一种晶体生长方法
31-BG175820 用于晶体生长的基底衬底和用其制造衬底的方法
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