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 ◆薄膜,氧化铟锡

薄膜,氧化铟锡类技术光盘》

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详细光盘目录如下:
[17-BG175643]  高纯度铟化合物的制造方法及其应用

[技术摘要]本发明公开了一种高纯度铟化合物的制造方法及其应用,铟锭用水淬法制成铟粒,经酸解和提纯制得氢氧化铟,氢氧化铟氧化锻烧得纯度为99.99%—99.999%氧化铟,由氢氧化铟、氧化铟和锌粉组成无汞碱锰电池的代汞剂,高纯度铟盐可应用于镀铟集流体铜钉生产中的,它们应用于电池工业,从而保证了其在环保型电池的优越的缓蚀、消气和代汞的性能。

[18-BG175643]  特别用于溅射靶、管状阴极等的制造的基于铜-铟-镓合金的镀膜材料

[技术摘要]铜-铟-镓(CuInGa)合金被特别用于溅射靶、管状阴极以及类似的镀膜材料源的制造。其具有对应于Cu5Zn8原型相的相,其中锌原子(Zn)的晶格位置被镓原子占据(镓取代的Cu5Zn8相),并且其中铟被同时引入到单位晶格或相中,占多达26wt%的比例。

[19-BG175643]  含铟金属的制造方法

[技术摘要]本发明提供一种含铟金属的制造方法,在该方法中,将制造ITO薄膜时飞散的含铟物质进行回收而得到含铟溶液,由该含铟溶液回收铟,以制造含铟金属。在所述方法中,中和所述含铟溶液,将所得到的中和沉淀物浸渍在不溶解铟的液体中,使导致钝态形成的离子溶解到该液体中,对导致钝态形成的离子进行洗涤处理,之后,用酸将洗涤处理后的物质溶解,形成酸溶解液,在该酸溶解液中浸入金属板,使海绵铟析出,由该海绵铟制造铟金属。

[20-BG175643]  磷化铟单晶的制造方法

[技术摘要]为了得到晶片上性能均匀和稳定且使用寿命长的化合物半导体器件,本发明提供一种制造含掺杂剂的磷化铟单晶的方法,该方法包括:将横截面积为结晶体横截面积的15%或大于15%的晶种置于生长容器下

[21-BG175643]  一种氧化铟锡专用银浆料及其制造方法

[技术摘要]本发明涉及一种氧化铟锡专用银浆料及其制造方法,该银浆料包括以下组分及含量(重量百分数)的原料:金属银粉50~60%、高分子树脂10~20%、添加剂2~5%、溶剂15~25%;该银浆料的制造方法包括载体的配制、银浆的配制、银浆料的生产等工艺步骤。与现有技术相比,本发明可以使导电银浆料的体积电阻极低,与ITO膜的附着力、欧姆接触性能得到很好的改善,与氧化银浆与介质层、发光层和绝缘油墨的结合性能大大提高,并改善了银浆料的丝网印刷性、表面硬度、抗侵蚀性、环境使用寿命等性能。

22-BG175643 氮化砷化镓铟系异质场效应晶体管及其制造方法和使用它的发送接收装置

23-BG175643 具有上下电极结构的铟镓铝氮发光器件及其制造方法

24-BG175643 多晶形铟锡氧化物薄膜以及多晶形铟锡氧化物电极的制造方法

25-BG175643 高亮度氮化铟镓铝发光二极管及其制造方法

26-BG175643 磷化铟基板、磷化铟单晶及其制造方法
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27-BG175643 含有金属铬基板的铟镓铝氮半导体发光元件及其制造方法

28-BG175643 含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法

29-BG175643 掺锡氧化铟微粒子分散液及其制造方法、及采用了该分散液的具有热线屏蔽性的夹层玻璃用中间膜、以及其夹层玻......

30-BG175643 氧化铟-氧化锡粉末和使用该粉末的溅射靶以及氧化铟-氧化锡粉末的制造方法

31-BG175643 氧化铟-氧化铈类溅射靶及透明导电膜以及透明导电膜的制造方法

32-BG175643 含铟金属的制造方法
0

33-BG175643 铝镓铟磷系化合物半导体发光器及其制造方法
7

34-BG175643 一种铟镓共掺的低阻P型二氧化锡薄膜材料及其制造方法
5

35-BG175643 一种铟铝共掺的低阻P型二氧化锡薄膜材料及其制造方法
5

36-BG175643 锑化铟霍尔元件及制造方法
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37-BG175643 含有碳基衬底的铟镓铝氮发光器件以及其制造方法
2

38-BG175643 铟类纳米线、氧化物纳米线与导电性氧化物纳米线以及它们的制造方法
8

39-BG175643 具有氧化铟锡层的发光二极管及其制造方法
5

40-BG175643 含有掺杂剂的磷化铟晶体及其制造方法
2

41-BG175643 铋-铟汞齐,荧光灯及制造方法
6

42-BG175643 氧化铟类透明导电膜及其制造方法
6

43-BG175643 氧化铟锡靶及制造方法和氧化铟锡透明导电膜及制造方法
2

44-BG175643 硒化铟铜基光伏器件及其制造方法
6

45-BG175643 硒化铟铜基光伏器件及其制造方法
46-BG175643 铟锡氧化物素胚的制造方法
47-BG175643 准平面高速双色铟镓砷光电探测器及其制造方法
48-BG175643 一种铜锌镍钴铟合金及其制造方法
49-BG175643 磷化铟基共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管单片集成制造方法
50-BG175643 多层铜铟镓硒硫光吸收前驱层制造方法
51-BG175643 无粘接剂及活性剂的铜铟镓硒和或硫光吸收预制层制造方法

1-BG175643 氧化铟中固溶锡的ITO粉末制造方法以及ITO靶的制造方法
2-BG175643 铟锡氧化膜的制造方法
3-BG175643 铟系金属微粒及其制造方法、含铟系金属微粒的涂布液、带覆膜的基材及显示装置
4-BG175643 铟镓砷光电探测器制造的开管锌扩散方法
5-BG175643 内部氧化的银-锡-铟合金电触点材料及制造方法
6-BG175643 制造氧化铟氧化锡烧结体的方法和用其制造的制品
7-BG175643 锑化铟薄膜的制造方法
8-BG175643 锑化铟霍尔元件的电极及其制造方法
9-BG175643 用铟锡氧化物制成的结构部件及其制造方法
10-BG175643 铟-锡-氧化物-模制体的制造方法
11-BG175643 氧化铟氧化锡溅射靶材及其制造方法
12-BG175643 N型磷化铟欧姆接触制造方法
13-BG175643 高密度铟锡氧化物靶材及其制造方法
14-BG175643 具有低开启电压的磷化铟肖特基装置及其制造方法
15-BG175643 具有低量金属杂质的含铟水溶液的制造方法
16-BG175643 构图铟锡氧化物的蚀刻剂和制造液晶显示装置的方法
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